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一种高深宽比中阻P型宏孔硅结构及其快速制备方法

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本发明提供一种高深宽比中阻P型宏孔硅结构及其快速制备方法，包括以下步骤：选择材料：选择中阻P型硅片；制备样品：在P型硅片上设置铝膜，将P型硅片切割成方形硅片；清洗样品：将切割后的方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液包括氢氟酸HF和N,N二甲基甲酰胺DMF，所述氢氟酸HF和N,N二甲基甲酰胺DMF按1:1的体积比混合；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到高深宽比中阻P型宏孔硅结构；可以保证在高的腐蚀速率下制备具有高深宽比值的宏孔硅结构，且所制备的宏孔硅结构形貌规则，孔壁光滑，壁厚均匀，无明显分叉现象。

著录项

公开/公告号CN110294454A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-01

原文格式PDF
申请/专利权人江苏大学;
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申请/专利号CN201910429434.6
发明设计人葛道晗;李文兵;张立强;马超;杨宁;
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申请日2019-05-22
分类号
代理机构
代理人
地址 212013 江苏省镇江市京口区学府路301号
入库时间 2024-02-19 12:54:43

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-11-01

实质审查的生效 IPC(主分类):B81B7/02 申请日:20190522

实质审查的生效
2019-10-01

公开

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