首页> 中国专利> 一种半导体掺杂磷扩散源用的添加剂焦磷酸硅的制备方法

一种半导体掺杂磷扩散源用的添加剂焦磷酸硅的制备方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

为了解决现有焦磷酸硅的制备方法难以保证焦磷酸硅的纯度，以及所得焦磷酸硅中金属杂质含量无法满足半导体掺杂磷扩散源技术指标要求的技术问题，本发明提供了一种半导体掺杂磷扩散源用的添加剂焦磷酸硅的制备方法包括步骤：1、纯化二氧化硅原料；2、合成碱性硅溶胶mSiO2·nH2O；m＜n；3、合成焦磷酸硅。本发明制备得到的焦磷酸硅纯度高达99.995‑99.999％，金属元素Fe、Cu、Ni、Cr、Co、Mn、Ti、V、Pb的含量均在0.5ppm以下，能够满足半导体掺杂磷扩散源的制备要求。

著录项

公开/公告号CN110182809A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-30

原文格式PDF
申请/专利权人刘鹏;
展开▼

申请/专利号CN201910395446.1
发明设计人刘鹏;王江哲;俞小瑞;刘明钢;
展开▼

申请日2019-05-13
分类号C01B33/00(20060101);C01B25/42(20060101);
代理机构61211 西安智邦专利商标代理有限公司;
代理人史晓丽
地址 710061 陕西省西安市雁塔区朱雀大街二零一号西1号楼208号
入库时间 2024-02-19 12:59:14

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-09-24

实质审查的生效 IPC(主分类):C01B33/00 申请日:20190513

实质审查的生效
2019-08-30

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种半导体掺杂磷扩散源用的添加剂焦磷酸硅的制备方法 [P] . 中国专利： CN110182809B . 2020.09.25
2. 一种半导体掺杂磷扩散源用的添加剂焦磷酸硅的制备方法 [P] . 中国专利： CN110182809A . 2019-08-30
3. Solid diffusion sources for phosphorus doping containing silicon and zirconium pyrophosphates [P] . 美国专利： US3931056A . 1976-01-06

机译：含硅和焦磷酸锆的磷掺杂的固体扩散源
4. Fixed to the diffusion source of phosphorus doping of semiconductors and process for their preparation [P] . 德国专利： DE2448258A1 . 1976-03-11

机译：固定于半导体的磷掺杂扩散源及其制备方法
5. Hydrophobic colloidal diffusion source of phosphorus for preparing doped silicon type N [P] . CZ34311U1 . 2020-08-18

机译：磷的疏水胶体扩散源用于制备N型掺杂硅