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光电二极管的制备方法、光电二极管和CMOS图像传感器

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本发明提供一种光电二极管的制备方法、光电二极管和CMOS图像传感器，该方法包括：在衬底上形成遮蔽层，衬底具有第一掺杂类型，衬底上设置有预设位置，第一掺杂类型和第二掺杂类型不同；对遮蔽层进行处理，使预设位置上方的遮蔽层的厚度小于非预设位置上方的遮蔽层的厚度；对衬底进行离子注入，使注入的离子形成下表面为曲面的且具有第二掺杂类型的区域，以增加衬底与区域的接触面积；去除遮蔽层，得到光电二极管。本申请增加了具有第一掺杂类型的衬底与具有第二掺杂类型的区域的接触面积，提高了满阱容量。

著录项

公开/公告号CN110088917A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-08-02

原文格式PDF
申请/专利权人深圳市汇顶科技股份有限公司;
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申请/专利号CN201980000504.4
发明设计人姚国峰;沈健;
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申请日2019-03-21
分类号
代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司;
代理人荣甜甜
地址 518045 广东省深圳市福田保税区腾飞工业大厦B座13层
入库时间 2024-02-19 13:13:10

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-08-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20190321

实质审查的生效
2019-08-02

公开

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