首页> 中国专利> 一种氮化五氧化二钽的熔盐化学方法及其制备获得的氮化五氧化二钽

一种氮化五氧化二钽的熔盐化学方法及其制备获得的氮化五氧化二钽

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明涉及一种氮化五氧化二钽的熔盐化学方法及其制备获得的氮化五氧化二钽，上述方法包括如下步骤：将五氧化二钽、无机盐和固体氮源混合均匀后于惰性气氛下进行热处理，热处理完毕后自然冷却至室温，再依次用去离子水、乙醇离心清洗数次后烘干，得到氮化五氧化二钽。本发明利用液相的熔盐反应介质，能够有效抑制颗粒团聚，并且有利于含氮离子的迁移，降低了反应温度，制备的氮化五氧化二钽粉体颗粒小、粒径均匀，有良好的光吸收特性，并且原料来源广泛、价格低廉，具有良好的经济效益和广阔的应用前景。

著录项

公开/公告号CN110316706A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-11

原文格式PDF
申请/专利权人武汉大学;
展开▼

申请/专利号CN201910491790.0
发明设计人肖巍;阚小清;聂丹丹;翁威;
展开▼

申请日2019-06-06
分类号
代理机构武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人薛玲
地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
入库时间 2024-02-19 13:17:43

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-11-05

实质审查的生效 IPC(主分类):C01B21/06 申请日:20190606

实质审查的生效
2019-10-11

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种氮化五氧化二钽的熔盐化学方法及其制备获得的氮化五氧化二钽 [P] . 中国专利： CN110316706A . 2019-10-11
2. 超高纯五氧化二钽和五氧化二铌除锑的方法 [P] . 中国专利： CN102358918A . 2012-02-22
3. Process and device for making a tantalum pentoxide layer on a carrier material particularly titanium nitride and integreted circuit incorporating a tantalum pentoxide layer [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1427005A1 . 2004-06-09

机译：在载体材料特别是氮化钛上制造五氧化二钽层的方法和装置以及结合有五氧化二钽层的集成电路
4. Process and device for producing a layer of tantalum pentoxide on a carrier material, in particular titanium nitride, and integrated circuit incorporating a layer of tantalum pentoxide [P] . 美国专利： US2004187778A1 . 2004-09-30

机译：在载体材料特别是氮化钛上生产五氧化二钽层的方法和装置，以及结合有五氧化二钽层的集成电路
5. MOM STRUCTURE HAVING A COPPER/TANTALUM NITRIDE/TANTALUM PENTOXIDE STACKED STRUCTURE INCORPORATED THEREIN [P] . SG109415A1 . 2005-03-30

机译：结合了铜/氮化钽/五氧化二钽堆叠结构的妈妈结构