首页> 中国专利> 一种水库消落带陡坡地中半露半淹区域的修复方法

一种水库消落带陡坡地中半露半淹区域的修复方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明公开了一种水库消落带陡坡地中半露半淹区域的修复方法，属于生态防护技术领域。所述修复方法：(1)选择水库的蓄水水位最低时，对其消落带的陡坡地进行修理平整、清理和夯实；(2)对处于半露半淹区域的陡坡地进行植被混凝土的铺设：首先在陡坡地的坡面上铺设支撑框架，并用锚钉和锚杆进行固定，接着将含红三叶种子、莎草种子及铜钱草种子的植被混凝土基材经搅拌后，由喷锚喷射到坡面上，直至形成包覆支撑框架的植被混凝土层，喷射完毕后，在植被混凝土层的表面覆盖无纺布，接着进行洒水养护，待植被覆盖坡面，揭开无纺布即可。本申请的修复方法可以有效修复水库消落带陡坡地中半露半淹区域，减少丰水期与枯水期交替时带来的水土流失。

著录项

公开/公告号CN110331697A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-15

原文格式PDF
申请/专利权人安徽农业大学;
展开▼

申请/专利号CN201910659253.2
发明设计人李若男;傅松玲;马玉华;王兆成;杨少博;王文静;
展开▼

申请日2019-07-19
分类号E02B3/12(20060101);A01G31/00(20180101);
代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;
代理人尹明明
地址 230036 安徽省合肥市长江西路130号
入库时间 2024-02-19 13:36:02

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-11-08

实质审查的生效 IPC(主分类):E02B3/12 申请日:20190719

实质审查的生效
2019-10-15

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种水库消落带陡坡地中半露半淹区域的修复方法 [P] . 中国专利： CN110331697A . 2019-10-15
2. 一种水库消落带陡坡地区受损生态系统修复方法 [P] . 中国专利： CN101790931B . 2011.04.27
3. process for the manufacture of a halfgeleiderinrichting comprising a halfgeleiderlichaam with a flat, gelijkrichtende transition zone.bounded by an annular passiverend area. [P] . NL158655B . 1978-11-15

机译：本发明涉及一种用于制造半凝胶富集的方法，该方法包括具有平坦的胶凝过渡区的半凝胶富勒阿姆哈姆，该过渡带被环形的被动区域包围。
4. process for the manufacture of a halfgeleiderinrichting,with a surface of a halfgeleiderlichaam adjacent to a first area on the opposite of the geleidingstype halfgeleiderlichaam geleidingstype,consisting of a first area with a high value of the doteringsstofconcentratie and from an adjacent second division with a significantly lower value of the doteringsstofa second area with the concentration of the geleidingstype halfgeleiderlichaam is formed. [P] . NL170068C . 1982-09-16

机译：制备半糊精的方法，所述半糊精的表面邻近与所述凝胶类型相反的第一区域的表面，该表面由高浓度的第一区域和相邻的第二区域组成，所述第二区域具有显着较低的浓度形成具有胶凝型半geeleiderlichaam的浓度的掺杂物第二面积的值。
5. process for the manufacture of a halfgeleiderinrichting,with a surface of a halfgeleiderlichaam adjacent to a first area on the opposite of the geleidingstype halfgeleiderlichaam geleidingstype,consisting of a first area with a high value of the doteringsstofconcentratie and from an adjacent second division with a significantly lower value of the doteringsstofa second area with the concentration of the geleidingstype halfgeleiderlichaam is formed. [P] . NL170068B . 1982-04-16

机译：制备半糊精的方法，所述半糊精的表面邻近与所述凝胶类型相反的第一区域的第一糊精的表面，该表面由具有高掺杂度的第一区域组成，并由相邻的第二区域组成，所述第二区域具有明显较低的浓度形成具有胶凝型半geeleiderlichaam的浓度的掺杂物第二面积的值。