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一种二维高导电率氢化NbSe2纳米薄膜、其制备方法和应用

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本发明提供了一种二维高导电率氢化NbSe2纳米片的制备方法，包括：将层状NbSe2块材浸入锂源溶液反应，得到前驱物LixNbSe2；将LixNbSe2分散在去离子水中，通惰性气体保护，超声剥离得到分散的超薄二维高导电率氢化HxNbSe2纳米片。本发明选用高导电性层状NbSe2金属材料，利用Li离子进行插层扩大了NbSe2层间距，便于剥离成为超薄纳米片；又充分利用了水中H离子置换Li离子，实现电子注入，进一步提高纳米片载流子浓度和导电率，从而得到了高导电率的氢化NbSe2纳米片并可以进一步组装得到薄膜。本发明方法简单，产率高，结构保存完好，组装成二维薄膜便于转移，导电性高，循环稳定性良好。

著录项

公开/公告号CN110342474A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-18

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学技术大学;
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申请/专利号CN201910489976.2
发明设计人吴长征;郭宇桥;谢毅;
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申请日2019-06-06
分类号C01B19/04(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);
代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人王洋
地址 230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
入库时间 2023-06-18 07:18:21

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-11-12

实质审查的生效 IPC(主分类):C01B19/04 申请日:20190606

实质审查的生效
2019-10-18

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