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个别地包含电容器及竖向延伸晶体管的存储器单元阵列，形成存储器单元阵列的层的方法，及形成个别地包含电容器及竖向延伸晶体管的存储器单元阵列的方法

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摘要

本发明揭示一种在阵列区域内形成存储器单元阵列的层的方法，所述存储器单元个别地包含电容器及竖向延伸晶体管，所述方法包含在所述层的所述阵列区域内使用两个且仅使用两个牺牲掩蔽步骤来形成所述存储器单元。本发明揭示其它方法及独立于制造方法的结构。

著录项

公开/公告号CN110214374A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-09-06

原文格式PDF
申请/专利权人美光科技公司;
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申请/专利号CN201780082818.4
发明设计人 D·V·N·拉马斯瓦米;
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申请日2017-12-22
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址美国爱达荷州
入库时间 2024-02-19 14:35:16

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-08

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/108 申请日:20171222

实质审查的生效
2019-09-06

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