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在氧化硅存在下硅表面上氧化硅或氮化硅的选择性生长

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摘要

本文提供了用于在硅或金属表面上选择性地沉积对氧化硅或氮化硅材料有选择性的含硅介电材料或含金属介电材料的方法和装置。方法涉及将衬底暴露于可与不期望沉积的氧化硅或氮化硅材料反应的酰氯，以形成阻止在氧化硅或氮化硅材料上沉积的酮结构。在沉积所期望的含硅介电材料或含金属的介电材料之前，进行酰氯的暴露。

1. 在氧化硅存在下硅表面上氧化硅或氮化硅的选择性生长 [P] . 中国专利： CN110402477A . 2019-11-01
2. 多孔氮化硅/氧氮化硅陶瓷复合材料的近净尺寸制备方法 [P] . 中国专利： CN101531538B . 2011.12.28
3. Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surface in the presence of silicon oxide [P] . 日本专利： JP2020510314A . 2020-04-02

机译：在存在氧化硅的情况下在硅表面上选择性生长氧化硅或氮化硅
4. Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide [P] . 美国专利： US10199212B2 . 2019-02-05

机译：在存在氧化硅的情况下在硅表面上选择性生长氧化硅或氮化硅
5. Selective growth of silicon oxide or silicon nitride on silicon surfaces in the presence of silicon oxide [P] . 韩国专利： KR20190119158A . 2019-10-21

机译：在存在氧化硅的情况下在硅表面上选择性生长氧化硅或氮化硅