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三维集成电路中的嵌入式存储器

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本文中所描述的是与三维（3D）集成电路（IC）中的存储器电路相关联的设备、方法和系统。存储器电路的控制电路可包括位于3D IC的逻辑层中的逻辑晶体管。控制电路还可包括位于3D IC的一个或多个正面金属层中的一个或多个互连（例如，本地或全局互连）和/或其它装置。存储器电路还可包括位于3D IC的背面金属层中的存储器阵列。可在最接近于逻辑层的背面金属层中形成存储器阵列。可描述并要求保护其它实施例。

著录项

公开/公告号CN110349952A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-18

原文格式PDF
申请/专利权人英特尔公司;
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申请/专利号CN201910155768.9
发明设计人王奕;
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申请日2019-03-01
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人姜冰
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 14:58:18

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法律状态
2019-10-18

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