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一种适用于碱抛激光选择性发射极的新型工艺

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本发明涉及碱抛激光选择性发射极领域。一种适用于碱抛激光选择性发射极的新型工艺，整体工艺按照，制绒—扩散制结—去背PSG+碱抛—前表面激光掺杂—扩散推进+氧化—正面氮化硅膜—背面氮化硅膜—背面开膜—印刷；在扩散制结过程中，首先进行磷源沉积，沉积压力100‑120mbar，沉积温度780‑800℃，通大氮流量800‑1000sccm，携磷源小氮流量600‑800sccm，氧气流量550‑650sccm，沉积时间15‑18min，低温推进PN结，推进压力100‑120mbar，温度800‑830℃，通大氮流量1400‑1600 sccm，通氧气流量450‑650sccm，时间5‑8min。

著录项

公开/公告号CN110459646A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-15

原文格式PDF
申请/专利权人山西潞安太阳能科技有限责任公司;
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申请/专利号CN201910725073.X
发明设计人杨飞飞;鲁贵林;赵科巍;张波;张尧;吕爱武;杜泽霖;李陈阳;郭丽;董建明;邓铭;
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申请日2019-08-07
分类号H01L31/18(20060101);H01L31/0236(20060101);
代理机构14101 太原市科瑞达专利代理有限公司;
代理人李富元
地址 046000山西省长治市郊区漳泽新型工业园区
入库时间 2024-02-19 15:44:13

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-12-10

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20190807

实质审查的生效
2019-11-15

公开

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