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BSI结构图像传感器中氧化铝薄膜的形成方法及氧化铝薄膜

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摘要

本发明涉及BSI结构图像传感器中氧化铝薄膜的形成方法及氧化铝薄膜，涉及半导体集成电路制造技术，在氧化铝薄膜的形成过程中调整铝原子和氧原子的量使得形成的氧化铝薄膜的铝原子和氧原子的比例小于2:3，增加了氧化铝薄膜中氧原子的含量，也即增加了BSI结构图像传感器中高介电常数层体内的固定的负电荷的量，则在后续经过UV照射工艺时即使负电荷被激发逃逸一部分，也能增加剩下的负电荷的的量，进而增强剩下的负电荷感应半导体衬底表面正电荷的量，从而改善BSI结构图像传感器的DC的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN110473888A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力集成电路制造有限公司;

    申请/专利号CN201910788022.1

  • 发明设计人 郁赛华;孙勤;

    申请日2019-08-26

  • 分类号

  • 代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;

  • 代理人张彦敏

  • 地址 201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

  • 入库时间 2024-02-19 15:48:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-12-13

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/146 申请日:20190826

    实质审查的生效

  • 2019-11-19

    公开

    公开

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