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用于对弱吸收正电子的对象的正电子发射体分布进行二维成像的方法和设备

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摘要

本发明涉及一种用于对弱吸收正电子的对象的正电子发射体分布二维成像的方法和设备。根据本发明，所述方法的特征在于，将包含所述正电子发射体的待检查对象定位在磁场中，其中，离开待检查对象的正电子遵循所述磁场的走向并且撞击到正电子吸收器上，所述正电子吸收器同样定位在所述磁场中并且所述正电子吸收器在与所述正电子相互作用的情况下能够实现正电子在所述正电子吸收器上的撞击点的定位。为此，将包含正电子发射体的待检查对象以及正电子吸收器置于磁场中，从而正电子遵循所述磁场的走向并且在一个点上撞击在所述正电子吸收器上。如此获得的关于正电子的撞击点的位置信息被用于成像所述待检查对象中的正电子发射体分布。

著录项

公开/公告号CN110418982A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-05

原文格式PDF
申请/专利权人于利奇研究中心有限公司;
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申请/专利号CN201880016524.6
发明设计人 J.舍因斯;
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申请日2018-03-06
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人臧永杰
地址德国于利奇
入库时间 2024-02-19 16:02:24

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-03-06

实质审查的生效 IPC(主分类):G01T1/29 申请日:20180306

实质审查的生效
2019-11-05

公开

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