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一种共振型SOI超表面及其在纳米印刷术中的应用

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本发明公开了一种共振型SOI超表面及其在纳米印刷术中的应用。SOI超表面由多个单元结构周期性阵列于一平面形成，该单元结构共三层结构：纳米砖阵列(晶体硅材料)、中间介质层(熔融石英材料)以及硅衬底(晶体硅材料)。纳米印刷术以SOI超表面为基础，实现高分辨率、灰度信息无损的纳米印刷功能，不仅所设计的超表面体积小、结构紧凑，并且与半导体工艺完全兼容，可广泛应用于高密度光信息存储、高端产品防伪等领域。

著录项

公开/公告号CN110568527A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-12-13

原文格式PDF
申请/专利权人武汉大学;
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申请/专利号CN201910808465.2
发明设计人戴琦;郑国兴;李子乐;李仲阳;邓娟;付娆;邓联贵;李嘉鑫;
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申请日2019-08-29
分类号G02B1/00(20060101);G02B5/30(20060101);G02B27/00(20060101);
代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人李炜
地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
入库时间 2024-02-19 16:11:28

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-01-07

实质审查的生效 IPC(主分类):G02B1/00 申请日:20190829

实质审查的生效
2019-12-13

公开

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1. 一种共振型SOI超表面及其在纳米印刷术中的应用 [P] . 中国专利： CN110568527B . 2020.10.13
2. 一种共振型SOI超表面及其在纳米印刷术中的应用 [P] . 中国专利： CN110568527A . 2019-12-13
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