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公开/公告号CN110462416A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-15
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201880022582.X
发明设计人 W-C·陈;许华南;李夏;康相赫;N·K·M·史蒂文斯-余;
申请日2018-03-29
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人张昊
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 16:11:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-10
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R33/09 申请日:20180329
实质审查的生效
2019-11-15
公开
机译: 采用具有不同磁场灵敏度的TMR设备的隧道磁阻(TMR)传感器,可提高检测灵敏度
机译:一种使用隧道磁阻(TMR)器件阵列设计高SNR纳米级磁传感器的方法
机译:隧道磁阻(TMR)器件的静电放电测试
机译:基于隧道磁阻效应(TMR)电流传感器的电能表
机译:隧道磁阻(TMR)器件的ESD评估
机译:使用隧道磁阻(TMR)传感器识别生物分子的纳升体积核磁共振(NMR)系统
机译:铁磁/绝缘纳米结构中的隧道磁阻(TMR)=铁磁/绝缘体纳米结构中的隧道磁阻(TMR)
机译:采用反馈调度器/分配器进行存储器空间和TmR处理的多处理器计算机仿真模型