公开/公告号CN103175803A
专利类型发明专利
公开/公告日2013-06-26
原文格式PDF
申请/专利权人 上海仪华仪器有限公司;
申请/专利号CN201110441625.8
申请日2011-12-26
分类号G01N21/35(20060101);
代理机构31216 上海天协和诚知识产权代理事务所;
代理人李彦
地址 201821 上海市嘉定区叶城路881号
入库时间 2024-02-19 19:11:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-06-29
专利权的视为放弃 IPC(主分类):G01N21/3504 放弃生效日:20180629 申请日:20111226
专利权的视为放弃
2015-01-21
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/35 申请日:20111226
实质审查的生效
2013-06-26
公开
公开
机译: 形成低介电常数非晶态二氧化硅涂层的方法及采用该方法获得的低介电常数非晶态二氧化硅涂层的方法
机译: 形成低介电常数非晶态二氧化硅涂层的方法及采用该方法获得的低介电常数非晶态二氧化硅涂层的方法
机译: 形成低介电常数非晶态二氧化硅涂层的方法及采用该方法获得的低介电常数非晶态二氧化硅涂层的方法