• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中国专利> 多层布线铝互连工艺方法、铝线互连通孔及半导体产品

多层布线铝互连工艺方法、铝线互连通孔及半导体产品

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 法律信息
  • 相似文献

摘要

本发明公开了一种多层布线铝互连的工艺方法、铝线互连的通孔及半导体产品，其中方法包括：对已在接触孔中形成钨塞的晶片进行钨回刻，去除接触孔之外的金属钨；所述钨塞连通下层金属铝；在经过钨回刻的晶片表面溅射导通材料层；在该导通材料层的表面进行上层铝布线。铝线互连通孔的结构包括：下层金属铝、钨塞、金属钛层和上层金属铝。本发明在钨回刻步骤之后增加溅射金属钛层的步骤，由于作为导通材料层例如金属Ti层的阶梯覆盖率较高，与钨塞和上层金属铝之间的粘附性较好，提高了上下铝金属互连通孔的可靠性，有效地降低了上层和下层铝金属的接触电阻，钨塞的导通电阻由此变的更为稳定。

著录项

  • 公开/公告号CN103151299A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司;

    申请/专利号CN201110404077.1

  • 发明设计人 张国伟;陈建国;

    申请日2011-12-07

  • 分类号H01L21/768;H01L23/522;

  • 代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭润湘

  • 地址 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层

  • 入库时间 2024-02-19 19:20:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-10-14

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/768 申请公布日:20130612 申请日:20111207

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2013-07-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20111207

    实质审查的生效

  • 2013-06-12

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号