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PZT系铁电薄膜的制造方法和PZT系铁电薄膜

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摘要

本发明提供一种PZT系铁电薄膜的制造方法和PZT系铁电薄膜。该PZT系铁电薄膜的制造方法，在具有结晶面沿（111）轴向取向的下部电极的基板的下部电极上涂布PZT系铁电薄膜用组合物进行临时烧结之后，烧成而结晶化来在下部电极上制造PZT系铁电薄膜时，将PZT系铁电薄膜形成用组合物以CSD法涂布形成于下部电极表面上的溶胶膜，使用红外线且通过温度模式稳定地进行临时烧结，该温度模式包括：第1保持阶段，从室温等预定温度升温而保持在200℃～350℃的范围内的温度；和第2保持阶段，从第1保持阶段的保持温度升温而保持在比第1保持阶段的保持温度更高的350℃～500℃的范围内的温度。

著录项

  • 公开/公告号CN103359785A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-10-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三菱综合材料株式会社;

    申请/专利号CN201310085165.9

  • 发明设计人 土井利浩;樱井英章;渡边敏昭;曽山信幸;

    申请日2013-03-18

  • 分类号C01G25/00;C04B35/622;C04B35/491;

  • 代理机构北京德琦知识产权代理有限公司;

  • 代理人康泉

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2024-02-19 20:21:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-15

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01G25/00 申请公布日:20131023 申请日:20130318

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-04-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G25/00 申请日:20130318

    实质审查的生效

  • 2013-10-23

    公开

    公开

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