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空间微电子产业用纳米二硫化钼-铜基电接触薄膜及制备方法

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本发明公开一种空间微电子行业用纳米二硫化钼-铜电接触薄膜及其制备方法。所述薄膜组分质量比为铜:二硫化钼=（94～97）:（6～3），薄膜厚度为10~70微米，薄膜孔隙率小于1%；电导率真空热处理后最高可达62IACS%；在滑动速度为≤0.2米/秒、载荷为1牛顿时，薄膜摩擦系数≤0.1。所述制备方法是：该薄膜以纳米二硫化钼颗粒为固体润滑剂，通过电刷镀技术将纳米二硫化钼颗粒均匀分散在铜基质中，铜基质通过电化学原理沉积出来并将纳米二硫化钼颗粒紧密包裹。本发明显著改善了真空环境铜的摩擦磨损性能，是一种可以从一定程度上代替金-二硫化钼（Au-MoS2）薄膜作为空间微电子产业用的电接触薄膜材料。

著录项

公开/公告号CN103695989A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-04-02

原文格式PDF
申请/专利权人燕山大学;
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申请/专利号CN201310725956.3
发明设计人梁波;温银堂;周新芳;王文魁;
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申请日2013-12-25
分类号C25D15/00(20060101);C25D5/06(20060101);H01H1/025(20060101);B82Y40/00(20110101);B82Y30/00(20110101);
代理机构13102 秦皇岛市维信专利事务所;
代理人鄂长林
地址 066004 河北省秦皇岛市海港区河北大街西段438号
入库时间 2024-02-19 22:23:04

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-06-06

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C25D15/00 申请公布日:20140402 申请日:20131225

发明专利申请公布后的驳回
2014-04-30

实质审查的生效 IPC(主分类):C25D15/00 申请日:20131225

实质审查的生效
2014-04-02

公开

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