法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-20
授权
授权
2014-04-02
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/34 申请日:20120424
实质审查的生效
2014-03-05
公开
公开
机译: 可编程电荷存储晶体管,存储器单元的高度延伸串的阵列,形成Si3Nx的方法,形成在控制栅极和可编程电荷存储晶体管的电荷存储材料之间的绝缘体材料的方法,形成阵列的方法存储器单元的纵向扩展串,根据方法制造的可编程电荷存储晶体管以及一系列存储器单元的纵向扩展串
机译: 存储器单元,非易失性存储器阵列,操作存储器单元的方法,向存储器单元写入和从存储器单元写入的方法以及对存储器单元进行编程的方法
机译: 存储器单元,非易失性存储器阵列,操作存储器单元的方法,向存储器单元写入和从存储器单元读取的方法以及对存储器单元进行编程的方法