对于带有开关的相变存储器的快速验证

技术领域

本主题一般涉及包括半导体存储器设备的电子设备领域。更具体而言， 本主题涉及相变存储器设备。

背景

计算机或其他电子设备的存储器可包括集成到较大的集成电路或独立 集成电路中的存储器单元块。有许多不同类型的存储器，包括随机存取存 储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、 静态RAM(SRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、闪存和相变存储器。 相变存储器设备使用在它们的结晶和无定形相位上具有不同的电特性的材 料。可以通过将存储器单元中的材料置于结晶相或者无定形相，来对相变 存储器单元进行编程，从而提供不要求功率即可保留其内容的非易失性存 储器。相变存储器常常使用由电流所生成的热量来编程，以控制相变材料 的状态。

相变存储器单元可以由硫族化物材料制成。硫族化物材料包括来自元 素周期表的组VI A的至少一种元素。硫族化物相变材料，如果被加热到高 于其熔点的温度并使其快速地冷却，将保持在带有高电阻的无定形玻璃样 的状态中。硫族化物相变材料，如果被加热到高于其玻璃态转化(glass  transition)温度T_g但是低于熔点的温度，将转变成具有低得多的电阻并带 有低得多的电压阈值的结晶相，以开始电流的流动。可以使用硫族化物材 料的无定形和结晶相之间的材料性质的这种差异来制造相变存储器设备。

附图简述

纳入到本说明书中并构成其一部分的附图示出所要求保护的主题的各 实施例。与一般描述一起，附图用于说明所要求保护的主题的原理。然而 它们不应该将所要求保护的主题限制到所描述的特定实施例，但是，用于 说明和理解所要求保护的主题。这样的主题可以通过参考下列与各个附图 一起阅读的详细描述来理解，其中：

图1是示出了根据一实施例的后面跟随着快速验证和两个读取操作的 编程时间段的时序图；

图2是示出了适合用于快速验证的各种实施例中的带开关的相变存储 器(PCMS)单元的图示；

图3是示出了作为PCMS单元电压和PCMS单元的阈值电压分布的函 数的PCMS单元电流的表示的一对图示；

图4是示出了PCMS单元的阈值电压与时间的对数关系的表示的图；

图5是示出了PCMS单元阈值电压在多个离散时间点的分布的一组图 示；

图6是使用相变存储器的快速验证的实施例的系统的框图；

图7A是PCMS存储器的快速验证的实施例的流程图；以及

图7B是描述了用于PCMS存储器的快速验证的各实施例中的验证或 读取操作的实施例的流程图。

详细描述

在下面的详细描述中，作为示例阐明了众多具体细节以提供对相关原 理全面的理解。然而，对那些精通本技术的人员显而易见的是，当前原理 也可以在没有这样的细节的情况下实施。在其他情况下，以比较高的级别， 没有细节地描述了已知的方法、过程和组件，以便避免对当前概念的各方 面造成不必要的模糊。使用了若干个描述性术语和短语来描述所要求保护 的主题的各实施例。这些描述性术语和短语被用来向所属领域的技术人员 传达一般性地协商一致的含义，除非在此说明书中给出了不同的定义。

图1是根据带有开关的相变存储器的快速验证的实施例的概念时序图 100，示出了编程时间段101，后面跟着快速验证102和两个读取操作104， 105。垂直轴表示增大的电压，而水平轴表示时间推移。此图的任一轴都不 应该解释为是线性的，对数的，或与任何比例一致，除了在垂直轴上较高 的位置表示较高的电压，水平轴上的靠右的位置表示稍后的时间。尽管下 面的描述引用了带有开关设备的相变存储器，但是，在其他实施例中，也 可以使用在阈值电压方面表现出漂移的其他类型的设备。

编程时间段101被用来对存储元件进行编程，并在时间t₀结束，并且 在各种实施例中，可以具有表现出与针对编程时间段101示出的波形不同 的电压和/或电流特征的电的波形，这取决于实施例。对存储元件进行编程 可以使设备的阈值电压V_{TH_set}(V_{TH_设置})和V_{TH_Reset}(V_{TH_复位})返回到额定 值。在下面的几节讨论了编程时间段101的各个特征。在某些实施例中， 编程时间段101可以包括t₀之前的冷却时间，其中没有向存储元件施加电 压或电流。

存储元件可能在V_{TH_set}和V_{TH_Reset}(统称为V_TH)上表现出与它们的额 定值的漂移。在下文中更详细地描述V_TH的漂移的现象。由于V_TH的漂移， 可以使用不同的划界电压(V_DM)来确定存储元件在不同的时间的状态。对 于可以在存储元件和/或开关中使用玻璃相变材料的大多数实施例，由于玻 璃松弛物理性能，这样的漂移可能会导致V_TH随着时间的推移而增大，但 是其他材料可能带有不同的特征地漂移。

快速验证102可以在t₀之后但在自从t₀以来流逝了t_verify(t_验证)时间 之前的时间发生，并可以由一些实施例启动，无需来自处理器或其他电路 的任何外部参与，虽然其他实施例可以涉及启动验证操作的各种其他电路、 软件或其他方法或设备。t_verify的值可以在不同的实施例中极大地变化，取 决于所使用的材料，设备的几何形状及其他因素。在许多实施例中，t_verify的值可以小于大约1微秒(μs)。在某些实施例中，t_verify的值可以大约100 纳秒(ns)或者甚至更小，诸如通常大约10-50ns或者甚至对于一些实施 例而言，不足10ns。快速验证102可以在从t₀到t_verify的时段期间，跨存储 元件施加等于V_Verify(V_验证)112的划界电压V_DM，该划界电压V_DM介于 处在设置状态V_{TH_set}和复位状态V_{TH_Reset}的存储元件的阈值电压之间。通 过跨存储元件施加V_DM，存储元件可以在一种状态下比在其他状态下传导 更多电流，从而可使存储元件的状态被验证为在编程时间段101被正确地 编程。在某些实施例中，如果快速验证102示出了存储元件在编程时间段 101没有被适当地编程，则重新编程和重新验证存储元件，通过创建新t₀， 为图示100的各种后面的时间创建新起始点。

用于访问存储元件的主要使用时段可以从t_init开始，在t_fin结束。t_init和t_fin的时间值可以极大地变化，这取决于实施例。在许多实施例中，t_fin可以是至少1年，但是一些实施例可以使用比一年更长或稍短的t_fin。在许 多实施例中，t_init可以至少1微秒(μs)。在某些实施例中，t_init可以在1ms 和10ms之间，诸如在至少一个实施例中，大约3ms。

可以选择等于V_read(V_读取)114的在主要使用时段有效的划界电压 V_DM，以便在t_init和t_fin之间产生的任何读取请求都可以通过跨存储元件施 加V_read114(诸如读取操作104和读取操作105)以及检测流过存储元件的 电流以确定存储元件的状态来处理。在某些实施例中，设备的使用寿命可 能仅限于t_fin，因为可能涉及高于设备的操作电压的电压以读取或编程已经 被允许自从它最后一次编程以来超过t_fin的存储元件。在其他实施例中，可 以使用其他方法或机制来确保在没有被编程的情况下没有存储元件被允许 年龄达到t_fin。这样的方法或机制可以包括刷新电路或执行类似于动态随机 存取存储器(RAM)设备的刷新电路的操作的软件程序，虽然在长得多的 时标上。

读取操作104可以在t_init和t_fin之间的任何时间发生。读取操作104， 105可以在从t_init到t_fin的时段期间跨存储元件施加等于V_read114的划界电 压V_DM，该电压介于处在设置状态V_{TH_set}和复位状态V_{TH_Reset}的存储元件 的阈值电压之间。由于可能已经流逝了t_verify和t_init/t_fin之间的时间，因此， V_TH在t_init和t_fin可能比在t_verify时更高，如此V_read114可以是比V_Verify112 更高的电压。如果存储元件处于低电阻状态，则施加V_read114可能会使 V_{TH_set}返回到额定值，但是，如果在高电阻状态向存储元件施加V_read114， 则即使有也没多少电流可以流过存储元件，如此，V_{TH_Reset}可能不会返回到 额定值。

在某些实施例中，如果在t₀和t_init之间的时段接收到读取请求，则读取 操作可以延迟，直到t_init之后，并且可以使用V_read114来确定存储元件的状 态。在其他实施例中，在t_verify和t_init之间的时段接收到的读取请求可以使 用不同的划界电压来处理，该电压可以在V_verify112和V_read114之间。

如果只有单个V_DM将被用于验证和读取操作，则由于PCMS单元被读 取到直到时间t_fin的要求，PCMS单元200不能被验证，直到t_init。这种延 迟可能会显著影响PCMS存储器设备的性能。与对于验证和读取操作使用 VDM的单个值的存储器设备相比，此处所描述的快速验证可以显著提高 PCMS存储器设备的性能。

图2是示出了作为存储元件的适合用于快速验证的各种实施例中的带 开关的相变存储器(PCMS)单元200的图示。在所示出的实施例中，PCMS 单元200耦合到PCMS单元200的相对的两边的列线210和行线220，以 选择性地实现将数据写入到PCMS单元200和/或从其中读取数据。列线210 和/或行线220可以称为地址线，其中，可以使用给定线对来在编程或读取 期间寻址PCMS单元200。列线210和/或行线220还可被称为位线和/或字 线，这取决于列线210和/或行线220是否或者如何用于访问特定一个PCMS 单元或多个不同的PCMS单元。

PCMS单元200可以包括双向阈值开关(OTS)202，以选择性地将PCMS 单元200与传导电流、中间电极204、用以维护表示特定所存储的数据值的 状态的相变状态材料206、以及底电极208隔离开。如前所述的元件可以通 过列线210和行线220之间的连续层来形成，或在其他几何关系，取决于 实施例。应该理解，PCMS单元200可以不包括所描述的元件中的全部， 根据各实施例，可以包括各种额外的和/或可选的结构中的任何一种，只要 结构分别地或组合地提供带有如此处所描述的一个或多个V_TH漂移特征的 PCMS单元200。

相变材料206可以是具有诸如电阻、电容，之类的电特性，或其他电 特性的材料，这些电特性可以通过施加诸如，例如，热、光、电压电势， 或电流之类的能量而变化。可以选择带有广泛地不同的属性的许多相变材 料类型来作为相变状态材料206。相变状态材料206可以包括化学计量或非 化学计量化合物。相变状态材料206可以包括共晶或包晶材料。相变状态 材料206可以包括单相或多相材料。相变状态材料206可以掺杂各种元素。 在各种实施例中，相变状态材料206可以具有二元结构、三元结构，或四 元结构，或由更多元素构成。在另一个实施例中，相变状态材料206可以 具有伪二元结构。在某些实施例中，相变存储器单元可以由硫族化物材料 制成。

相变状态材料206可以在工作温度范围内在两个相位中的一个或两个 相位的组合中本地保持稳定，并在无定形相与晶相上表现出不同的电特性。 在各种实施例中，相变状态材料206可以包括两个属性：(a)在室温下，它 可以局部地存在于无定形相状态，而在诸如几年内之类的长时间内不会结 晶，以及(b)如果温度上升，无定形相可以快速地结晶。相变状态材料206 的准确的特征取决于所使用的材料类型和材料的相位，但是，在某些实施 例中，相变状态材料206可以置于高电阻状态或低电阻状态。高电阻状态 可以称为复位状态，低电阻状态可以称为设置状态，但是在某些实施例中， 术语可以颠倒。在某些实施例中，高电阻状态可以通过将相变状态材料206 置于占优势的无定形相来产生，而低电阻状态可以通过将相变状态材料206 的至少一部分置于结晶相来产生。其他实施例可以通过使用相位的不同组 合来产生两种以上的逻辑状态，以产生不同的电阻范围。

还应注意，在某些实施例中，两种状态可以不以纯电阻为特征，而是 可以以大量的电流开始流动的阈值电压的变化为特征。带有低阈值电压的 状态可以称为低电阻状态，带有较高阈值电压的状态可以称为高电阻状态， 尽管在阈值电压被超出的情况下，任一状态都可以具有低电阻。如此，在 下面的描述中，对改变电阻的引用可以实际意味着，阈值电压变化，且对 低或高电阻状态的引用可以实际意味着低或高电压阈值，取决于实施例。 相变状态材料206的示例可以包括硫族化物材料或双向材料。双向材料可 以是接受电子或结构变化并在施加电压电势、电流、光、热等等的情况下 充当半导体的材料。双向材料可以用于存储器元件或电子开关中。

硫族化物材料可以是包括来自元素周期表的组VI A的至少一种元素 的材料。元素周期表的组VI A包括诸如硫(S)、硒(Se)，以及碲(Te) 之类的元素。相变材料常常还包括来自元素周期表的其他组的元素，诸如 组III A(镓(Ga)和铟(In))、组IV A(硅(Si)、锗(Ge)，以及锡 (Sn))、组V A(磷(P)、砷(As)、锑(Sb)，以及铋(Bi))、组 I B(银(Ag)和金(Au))，和/或组VIII B(钴(Co)和钯(Pd))。 相变状态材料206可以是碲-锗-锑(TexGeySbz)材料或GeSbTe合金的类 的硫族化物元素成分，但是，各实施例不仅限于这些。

相变状态材料206可以通过向相变状态材料206施加电信号以在结晶 相和无定形相之间改变相变状态材料206的至少某些的相位，来编程到至 少两个存储器状态中的一种。对相变状态材料206编程以改变材料的相位 可以通过向中间电极204和底电极208施加电压电势来实现，由此生成跨 相变状态材料206的电压电势。电流可以响应于施加的电压电势，流过相 变状态材料206的一部分，并可以导致相变状态材料206的变热，这会改 变相变状态材料206的至少某些的相位，并由此改变相变状态材料206的 电阻。相变状态材料206还可被称为可编程电阻材料或简单地，可编程材 料。

在一个实施例中，可以通过向电极204施加大约3V以及向电极208 施加大约0V，来跨相变状态材料206的一部分施加大约三伏特(3V)的电 压电势差。电流可以响应于施加的电压电势，流过相变状态材料206，并可 以导致相变状态材料120变热。这种变热以及随后的冷却可以改变相变状 态材料120的存储器状态或相位。可以通过改变流过相变状态材料120的 电流的量以及持续时间来实现相变状态材料206的各种电阻来存储信息。

一般而言，相变状态材料206的结晶时间随着温度的上升而减小。例 如，如果一个实施例的无定形相变状态材料206被加热到摄氏～150(C)， 则它可以在大约一分钟内结晶。如果无定形相变状态材料206的实施例被 快速地加热到～200C，则它可以在一秒钟内结晶。如果无定形相变状态材 料206的实施例被非常快地加热到～300C，诸如通过脉冲，则它可以在一 微秒内或者甚至更快地结晶。对于相变状态材料206，结晶相比无定形相在 能量方面更有利(较低的自由能)。但是，如果相变状态材料206的实施 例的结晶体积(crystalline volume)被加热到高于相变状态材料206的熔解 温度，诸如至温度>～650C，然后，使其快速地冷却，则相变状态材料206 可以回到无定形相。

在设置状态下，相变状态材料206的一部分可以处于结晶或半结晶状 态，或至少相变状态材料206的小细丝(small filament)可以是导电的。在 复位状态，相变状态材料206的至少一部分可以是无定形或半无定形状态。 无定形或半无定形状态下的相变状态材料206的电阻可以大于结晶或半结 晶状态下的相变状态材料206的电阻。应该理解，复位和设置分别与无定 形和结晶状态的关联是惯例(convention)，至少可以采用相对惯例。

存储在PCMS单元200中的信息可以通过检查PCMS单元200的V_TH来读取，这可能间接地测量相变状态材料206的电阻。作为示例，为读取 PCMS单元200的状态，可以使用列线210和行线220，向PCMS单元200 提供划界电压V_DM，并且可以使用例如感应放大器(未示出)，对照阈值 电流比较流过PCMS单元200的结果电流。如果V_DM大于PCMS单元200 的V_TH，则可能有大于阈值电流的大量的电流流过PCMS单元200，这指示 相变状态材料206处于设置状态。如果V_DM小于PCMS单元200的V_TH， 则流过PCMS单元200的电流可能比阈值电流小得多，这指示相变状态材 料206处于复位状态。在替换实施例中，可以对源电阻施加VDM，可以感 应所产生的跨相变状态材料的电压，代替电流。

在对相变状态材料206编程或读取过程中，可以使用OTS202来访问 相变状态材料206。OTS202可以包括作为开关来操作的双向材料，该开关 取决于跨双向材料施加的电压电势的量而断开或接通。off(断开)状态可 以是基本上不导电的状态，on(接通)状态可以是基本上导电的状态。例 如，OTS202可以具有V_TH，如果跨OTS202施加小于OTS202的V_TH的 电压电势，那么，OTS202可以保持断开或处于相对较高的电阻状态，以 便很少或没有电流流过PCMS单元200。可另选地，如果跨OTS202施加 大于OTS202的阈值电压的电压电势，那么，OTS202可以接通并在相对 较低的电阻状态下操作，以便电流流过PCMS单元200。换言之，如果跨 OTS202施加小于V_TH，则OTS202可以处于基本上不导电的状态，如果 跨OTS202施加大于V_TH，则OTS202可以处于基本上导电的状态。OTS202 还可被称为访问设备或隔离设备。其他实施例还可以使用其他设备作为访 问设备或隔离设备，诸如传统的二极管或场效应晶体管(FET)。

在某些实施例中，OTS202可以使用硫族化物或双向材料，并可以称 为双向阈值开关，或简单地，双向开关。OTS202的开关材料可以是位于 两个电极之间的处于基本上无定形状态的材料，其通过施加预定电流或电 压电势，可以重复地并且可逆地在较高电阻off状态(可以大于大约10兆 欧姆(MΩ))和相对较低的电阻on状态(可以小于大约1000欧姆(Ω)) 之间切换。在所示出的实施例中，OTS202可以是两端子设备，其可以具 有类似于处于无定形状态的相变存储器元件的电流-电压(I-V)特征。然而， 与相变存储器元件不同的是，OTS202的开关材料可以不改变相位。即， OTS202的开关材料可能不是可编程的材料，结果，OTS202可以不是能够 存储信息的存储器设备。例如，OTS202的开关材料可以永久地保持无定 形，I-V特征在整个使用寿命内保持不变。

图3是示出了作为图350中的PCMS单元电压和图360中的PCMS单 元200的阈值电压分布的函数的PCMS单元电流的表示。更具体而言，图 350包括对于跨PCMS单元200施加的电压范围，在PCMS单元200的相 变状态材料206处于结晶/半结晶相位的情况下，由PCMS单元200携带的 单元电流的曲线356。图350还包括对于跨PCMS单元200施加的电压范 围，在相变状态材料206处于无定形/半无定形相位或复位状态的情况下， 由PCMS单元200携带的单元电流的曲线358。

如图350所示，设置阈值电压V_{TH_set}370对应于曲线356中的拐点， 在那里，处于设置状态的PCMS单元200对于单元电压中的细微的变化， 开始表现出非常大的单元电流的变化，大于阈值电流I_TH，352。例如，在 某些实施例中，在跨PCMS单元200施加的电压小于V_{TH_set}370的低电压 或低电场模式下，PCMS单元200可以关闭或有效地不导电，并表现出可 能大于大约10MΩ的相对较高的电阻。在其他实施例中，高电阻状态下的 PCMS单元200的电阻可能比10MΩ低得多，诸如大约100kΩ。PCMS单 元200的绝对电阻不重要，只要可以可靠地区别设置和复位状态下的PCMS 单元200的电阻的相对差。PCMS单元200可以保持基本上不导电，直到 施加至少等于大约V_{TH_set}370的电压，其可以将PCMS单元200切换为导 电——相对低电阻on状态。如果跨PCMS单元200施加大于大约V_{TH_set}370 的电压电势，则针对施加的电压的细微的变化，由PCMS单元200携带的 电流显著变化，如在曲线356的高度导电区域353可以看出的。

类似地，复位的阈值电压V_{TH_Reset}380对应于曲线358中的拐点，在那 里，处于复位状态的PCMS单元200对于单元电压中的细微的变化，开始 表现出非常大的单元电流的变化，大于I_TH352。例如，如果跨PCMS单元 200施加至少大约V_{TH_Reset}380的电压电势，则针对施加的电压的细微的变 化，由PCMS单元200携带的电流显著变化，如在曲线358的高度导电区 域353可以看出的。在设备被编程之后非常短的时间长度，诸如100微微 秒(ps)，V_{TH_set}370和V_{TH_Reset}380的值可以称为额定V_TH值。

在一个或多个实施例中，跨PCMS单元200施加的用以确定PCMS单 元200的当前状态的目标电压(可以在V_{TH_Set}370和V_{TH_Reset}380之间)， 可以称为划界电压(VDM)。由于如图356、358所示的PCMS单元200 的非线性特性，如果跨处于设置状态的PCMS单元200维持VDM，则施加 VDM可能导致非常高的电流。随着通过电阻跨PCMS单元200施加VDM， 可以跨PCMS单元200创建可能依赖于PCMS单元200的当前状态的电压 波形。电阻可以是与VDM的源串联的单独的元件，或者它可以是用于将 VDM的源连接到PCMS单元200的驱动器或开关中所固有的。通过尝试跨 处于设置状态的PCMS单元200施加VDM所产生的电压波形可能决不会 达到VDM，虽然它可能不会超出VDM，并可能在较短时间内上升到阈值 电压V_{TH_Set}370，然后，下降回导电电压351，该导电电压351随着电流的 大的变化而可能只有稍微的变化，如曲线356的高度导电的区域353所示。 通过尝试跨处于复位状态的PCMS单元200施加VDM所产生的电压波形 可能上升到VDM，并停留在该电压处或其靠近。在设置或者复位状态下， PCMS单元200的电压波形的长度，取决于在实施例中所使用的技术的细 节，但是，可以长至足以使PCMS单元200的状态被确定。

图360示出了多个PCMS单元的电压阈值分布的概念表示。更具体而 言，图360示出了多个PCMS单元的相应的设置阈值电压和复位阈值电压 是如何沿着单元电压范围分布的，其中，垂直轴可以被视为在特定状态下 在特定电压电平表现出V_TH的PCMS单元的百分比。分布可以表示单一集 成电路管芯上的或分布在多个集成电路管芯上的大量的PCMS单元，还可 表示各种操作电压、操作温度上的变化，进程变化或可能影响V_TM的其他 参数。在生产环境中，可以测试集成电路管芯，或表示集成电路管芯的较 大的组的管芯的样本，以确保该管芯或管芯组的V_TM落在由目标分布所表 示的设计参数内。

图360的第一分布D_Set372表示在相变状态材料处于设置状态的情况 下多个PCMS单元的V_TH的示例性组。D_Set372可由一个或多个参数来表征， 这些参数包括但不限于，一个或多个统计度量(诸如，但不限于，分布平 均值、中值、标准偏差等等)的各种组合中的任何一种。在至少一个实施 例中，V_{TH_set}370可以是D_Set372的平均值。类似地，图360的第二分布 D_Reset382表示在单元处于复位状态的情况下多个PCMS单元的V_TH的示例 性组。D_Reset382也可由如上文所描述的一个或多个参数来表征，并且在至 少一个实施例中，V_{TH_Reset}380可以是D_Reset382的平均值。

作为示例而非限制，D_Set372被示为以V_{TH_set}370为中心，并具有扩展 374。特定设备的设置状态下的单元的V_TH可以落在V_{TH_set}370±扩展374 的范围内。D_Reset382被示为以V_{TH_Reset}380为中心，带有扩展384。特定设 备的复位状态下的单元的V_TH可以落在V_{TH_Reset}380±扩展384的范围内。 应该理解，沿着单元电压范围的D_Set372和D_Reset382中的任何一个或者两 者的位置和/或形状可以变化，这取决于不同的实施例。

图4是示出了PCMS单元200的V_{TH_Reset}与时间的对数关系的表示的 示图440。可以为V_{TH_set}绘制可比较的图，并且虽然绝对电压电平将较低， 但是这样的图的基本特点可以是类似的。由于PCMS系统的双向的或其他 相变状态材料的结构松弛，因此，PCMS单元200在设置或者复位状态下 的V_TH可以随着时间的推移而增大。这样的增大此处被称为阈值电压漂移。

图440示出了PCMS单元200的V_{TH_Reset}的阈值电压漂移ΔV_drift(Δ V_漂移)460的概念表示，基于可以通过模拟来确定的多个离散数据点 461-465，单个PCMS单元200的测量值、单个集成电路管芯上的多个PCMS 单元的测量值，或多个集成电路管芯上的多个PCMS单元的测量值。ΔV_drift460示出了在使用对数时间标度表示的时域内V_{TH_Reset}范围上的变化。由于 可允许测试的时间量的约束，可以测试以累积离散数据点461-465的时域 可能是有限的，但是，对于许多实施例，由于相变状态材料206的物理性 能，ΔV_drift460的斜率可以是相对固定的，甚至对于用于获取离散数据点 461-465的时域之前和之后的时间。

在各种实施例中，V_TH中的变化实质上与时间对数线性地变化。因此， 可以通过计算V_TH的漂移率R_drift(R_漂移)，来预测PCMS单元200被编程 之后的特定时间的PCMS单元200的V_TH值。在某些实施例中，可以通过 对PCMS设备的性能的设计测试，来确定V_TH漂移的R_drift，其可以是ΔV_drift460的斜率。作为示例而非限制，PCMS单元(或多个单元)的阈值电压 V_TH可被重复地评估，诸如在PCMS单元200中编程了特定状态之后的时 间t₁，以及再次地在编程之后的时间t₂。可以计算斜率R_drift，例如，按照：

R_drift=[V_TH(t₂)-V_TH(t₁)]/[log(t₂)-log(t₁)]=[V_TH(t₂)-V_TH(t₁)]/[log(t₂/t₁)]

在某些实施例中，V_{TH_set}可以以与V_{TH_Reset}不同的速率漂移——给定 R_drift的不同的值，取决于PCMS单元200的状态，但是各实施例不仅限于 此方面。应该理解，ΔV_drift只是示例性的，以及ΔV_drift460可以不同地表 现出阈值电压值的各种变化中的任何一种，这些变化实质上与各种时间值 中的任何时间值的对数成线性关系。其他实施例可以具有随着时间的推移 而漂移的不同的电特性，诸如存储器单元的电阻。其他实施例可以表现出 不与时间对数成线性关系的漂移特征。只要漂移在至少t_fin之前的时间是单 调的、可重复的并且可预测的，那么漂移的准确的特征可以是不重要的， 且材料可以适于各实施例。

一旦确定了R_drift，就可以使用R_drift来预测未来时间点的VTH。例如， 如果ΔV_drift460示出了在PCMS单元200被编程为复位状态之后的1ms的 时间V_{TH_Reset}穿过大约2.8V，且R_drift每十秒具有大约0.07V的值，则可以 预料，V_{TH_Reset}的值在编程之后的1秒可大约是3.1V，而在编程之后的一 年，大约3.6V：

V_{TH_Reset}@1yr=3.1V+0.7V＊log(3.15x10⁷)=3.6V

图5是一组图510、520、540、550，示出了PCMS单元阈值电压在多 个离散时间点的分布。如就图360所描述的，分布可以表示单一集成电路 管芯上的或分布在多个集成电路管芯上的大量的PCMS单元，并且还可表 示各种操作电压、操作温度上的变化，进程变化或可能影响V_TM的其他参 数。图510示出了在时间t_0+Δ的D_Set(t₀)512和D_Reset(t₀)514，时间t_0+Δ是t₀之后发生的非常短时间长度，诸如在时间t₀之后的100ps。图520示出了 在时间t_verify的D_Set(t_verify)(D_设置(t_验证))522和D_Reset(t_Verify)(D_复位(t_验证)) 524。图540示出了在时间t_init的D_Set(t_init)542和D_Reset(t_init)544。图550 示出了在时间t_fin的D_set(t_fin)552和D_Reset(t_fin)554。不同的时间点具有下列 相对关系：

t₀<t_verify≤t_init<t_fin

查看各种图形，可以看到V_TH漂移的效果，D_Set(t₀)512在D_Set(t_verify) 522之前，而D_Set(t_verify)522在D_Set(t_init)542之前，依次类推。同样，D_Reset(t₀) 514在D_Reset(t_Verify)524之前发生，依次类推。为确定可以被用作V_Verify112 的V_DM，可以选择D_set(t_verify)522的最大值和D_Reset(t₀)的最小值之间的值， 诸如V_verify112。可以用于V_read114的V_DM可以在D_set(t_fin)552的最大值和 D_Reset(t_init)544的最小值之间选择。

可以使用因素集合来帮助确定t_fin和t_init，该因素集合包括设备的目标 操作电压，特定相变状态材料206的D_set(t₀)512和D_Reset(t₀)514、期望的 t_verify时间，以及V_TH的漂移率，。可以计算t_fin的值，以便D_Reset(t_fin)554的 最大值可以刚好低于设备的目标操作电压，以确保任何PCMS单元200都 可以被编程，而不会超出操作电压。如果设备具有电荷泵或用于提供大于 操作电压的电压的其他机构，则较长的t_fin也是可能的。一旦确定了t_fin，就 可以计算t_init的值，以便D_Reset(t_init)544的最小值不小于D_Set(t_fin)552的最 大值，且带有一些余量，从而允许为V_read114选择有效值，该有效值将在 t_init和t_fin之间的任何时间点将打开处于设置状态的任何单元并且不打开处 于复位状态的任何单元。可以基于目标设备性能，来选择t_verify的值，以便 可以快速地验证编程操作，而不依赖于为t_fin或t_init选择的值。

其他实施例可以首先基于性能要求，选择t_init的值，然后，将t_fin选择 为比D_Reset(t_init)544的最小值更低的具有D_Set(t_fin)552的最大值的最长可能时 间。一些实施例还可包括用于选择t_fin和t_init的V_read周围的额外余量，以允 许V_read的轻微变化。

图6是使用带有开关的相变存储器的快速验证的实施例的计算或存储 系统600的框图，包括耦合到存储器设备610的处理器601，带有控制/地 址线603和数据线604。在某些实施例中，数据和控制可以使用相同线。处 理器601可以是外部微处理器、微控制器，或某种其他类型外部控制电路。 在某些实施例中，处理器601可以与存储器设备610集成在相同封装中或 者甚至相同管芯中。在某些实施例中，处理器601可以与控制电路611集 成，从而使相同电路中的某些用于两种功能。处理器601可以具有外部存 储器，诸如随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)，用于存储程 序和中间数据，或者它可以具有内部RAM或ROM。在某些实施例中，处 理器可以使用存储器设备610来进行程序或数据存储。在处理器601上运 行的程序可以实现许多不同的功能，包括，但不仅限于，操作系统、文件 系统、坏单元或块映射，存储器刷新以确保没有PCMS单元年龄超过t_fin、 对特定PCMS单元延迟读取操作直到已流逝t_init时间，以及错误管理。计算 或存储系统600的框图已经简化，以聚焦于对理解本发明有帮助的存储器 的特征。

在某些实施例中，提供了外部连接602。外部连接602耦合到处理器 601，并使处理器601与外部设备进行通信。在存储系统的情况下，可以使 用外部连接602来提供带有非易失性存储器的外部设备。可以使用外部连 接602来使用标准或专有的通信协议连接到计算机或诸如手机或数码相机 之类的其他智能设备。外部连接可以与其兼容的计算机通信协议的示例包 括，但不仅限于，下列协议的任何版本：通用串行总线(USB)、串行高 级技术附件(SATA)、小型计算机系统互连(SCSI)、光纤通道、并行高 级技术附件(PATA)、集成驱动器电子电路(IDE)、以太网、IEEE-1394、 安全数字卡接口(SD卡)、Compact Flash(紧凑闪速)接口、存储器棒接 口、外围组件互连(PCI)或PCI Express。

存储器设备610可以包括此处所讨论的带有开关的相变存储器单元的 阵列620。PCMS阵列620中的相应的PCMS单元200包括相变状态材料 206的一部分，并可以可任选地包括诸如底电极208和中间电极204之类的 加热元件，和/或诸如双向阈值开关(OTS)设备202之类的访问/隔离设备。 PCMS阵列620可按成排的字线行和成排的位线列来布置，且相应的行使 用行线220，相应的列使用列线210。

可以由控制电路611接收和解码地址信号和控制信号603，控制电路 611可以控制行解码器624以控制到PCMS阵列620的行线，以及控制列 解码器625来控制列线。I/O电路613可以耦合到数据线604，从而使数据 从处理器601接收到并发送到处理器601。感测电路626可以耦合到PCMS 阵列620，并确定选择的PCMS单元的逻辑状态。定时器614可以测量时 间长度，以允许确定诸如t_verify、和t_init之类的时间间隔并将其传递到存储器 设备610内的各种其他电路。定时器614可以在存储器设备610内、在处 理器601内，或实现为存储器设备610或处理器601外部的单独的功能。 在某些实施例中，计时器614可以使用自由运转的或选通时钟信号的计数 器。定时器614的其他实施例可以使用通过电阻器或其他模拟技术来进行 电容器充电，来测量时间。定时器614的一些实施例可以使用在存储器设 备610内的控制器上运行的固件或单独的微控制器，而其他实施例可以使 用在处理器601上运行的软件来实现定时器614。系统600可以使用上文所 描述的方法或机制中的任何一种，或用于测量此处所描述的各种时间间隔 的其他方法或机制。

编程电路615可以生成适合于改变PCMS单元200中的相变材料206 的相位的电信号，并可以将那些电信号传递到存储器设备610中的各种其 他电路，以编程如此处所描述的特定PCMS单元或PCMS单元组。验证电 路可以通过与如此处所描述的存储器设备610的各种其他块进行通信，在 PCMS单元被编程之后的t_verify时间间隔内执行对任何PCMS单元的验证操 作。读取电路619可以通过与如此处所描述的存储器设备610的各种其他 块进行通信，响应于来自处理器601或其他设备的读取请求，执行读取操 作。

诸如t_verify、t_init、t_fin、V_verify，以及V_read之类的各种参数可以不在设计 设备时确定，并可以在制造集成电路管芯之后输入到存储器设备610或系 统600中。在某些实施例中，标识的参数中的一些或全部可以使用可编程 熔丝(fuse)或链路被编程到存储器设备610的管芯中。其他实施例可以使 用用于在存储器设备610或系统600中确定参数的其他方法，诸如以软件 或其他技术输入引脚短接(pin strapping)或常数。

存储器设备610的一些实施例可以包括跟踪在过去的一定量的时间内 (诸如在t_init时间内)被编程的一组PCMS单元的跟踪列表。可以使用跟踪 列表来判断在接收到读取请求时是否可以读取特定PCMS单元。在某些实 施例中，如果在过去的t_init时间长度内PCMS单元被编程，则存储器设备 610可以在执行读取操作之前进行等待直到已流逝t_init时间。在其他实施例 中，如果PCMS单元被包括在跟踪列表中，存储器设备可以使用不同的V_DM来读取PCMS单元。跟踪列表可以实现为内容可寻址存储器或允许一定数 量的PCMS单元地址连同有关PCMS单元何时最后被编程的信息一起被存 储的其他块。

图6中所示出的系统被简化以促进对存储器的特征的基本理解。许多 不同的实施例也是可以的，包括使用单一处理器601来控制多个存储器设 备610，以提供更多存储空间。在某些实施例中，可以包括附加功能，诸如 驱动监视器，及其他面向人类的I/O的设备视频图形控制器。此外，处理 器601还可以通过指令的程序，例如，软件，来配置，以实现此处所讨论 的所要求保护的主题，以控制存储器设备610以及包括PCMS阵列620的 其电路。在这样的实施例中，软件可以在此处所描述的设备和/或系统的各 方面，在在其上存储了指令的制品上可触摸地实现，所述指令，如果由诸 如处理器601之类的机器执行，执行如此处所描述的快速验证相变存储器 阵列620的方法的各方面，但是所要求保护的主题的范围不限于此方面。

图7A是相变存储器的快速验证的实施例的流程图700。方法在701框， 其中，可以接收将诸如“0”或“1”值之类的预期值写入到PCMS单元的 请求。在框702，PCMS单元可以被编程为预期状态。在一个或多个实施例 中，预期状态是已经适当地被编程为预期值的PCMS单元的状态，该预期 值是作为对该PCMS单元的写入的一部分而被接收到的。在在PCMS单元 被编程之后的时间(该时间在t_verify时间间隔内)，在框703，可以使用V_Verify作为V_DM来验证PCMS单元。在框704，可以检查验证的结果以查看PCMS 单元是否处于预期状态。在某些实施例中，如果由验证操作读取的数据不 匹配被编程到PCMS单元的数据，则可以在框702重新编程PCMS单元， 并且在框703，重新验证该PCMS单元。如果PCMS单元没有适当地验证， 则其他实施例可以简单地标记错误，从而允许其他高级别进程管理错误。 如果在框704验证判断PCMS单元已经被适当地编程，则方法在框705等 待该PCMS单元的下一读取请求。如果接收到对于该PCMS单元的读取请 求，则在框706，评估自PCMS单元被编程起已流逝的时间，以查看自PCMS 单元被编程起是否已流逝了至少t_init时间。如果读取请求的时间是在t_init之 后，则在框707，使用V_read作为V_DM，读取PCMS单元，并且方法在框705 再次等待对该PCMS单元的下一读取。如果在框704发现读取请求的时间 是在t_init之前，则在框707中使用V_read作为V_DM来读取PCMS单元之前， 方法可以在框708中进行等待直至已流逝至少t_init时间。然后，方法可以在 框705等待另一个读取请求。

图7B是描述用于带有开关的相变存储器的快速验证的各实施例(诸如 流程图700中所描述的方法)的验证或读取操作的实施例的流程图730。可 以使用由流程图730所描述的方法来提供关于在流程图700的框703和707 出现的操作的更多细节。在框731，利用可以用于验证或读取操作的特定电 压电平来请求对PCMS单元的读取或验证。在框732中，跨PCMS单元施 加指定的特定电压电平，作为V_DM。取决于PCMS单元的状态，所施加的 V_DM可以打开PCMS单元，从而允许电流流过PCMS单元，或关闭PCMS 单元，此时，如果有电流流过PCMS单元的话，也是很小的。在框733， 对照阈值电流I_TH，评估流过PCMS单元的电流。如果流过PCMS单元的电 流大于I_TH，则在框735，PCMS单元被判断为被设置。如果流过PCMS单 元的电流小于I_TH，则在框734，PCMS单元被判断为被复位。

应该理解，参考示例性实施例说明了所要求保护的主题，所要求保护 的主题不仅限于上文给出的具体细节。在说明书对其他实施例的引用属于 当前所要求保护的主题的范围。

任何对设备的引用可以包括组件、电路、模块或其中设备可以实现如 由放在设备之前的修改器所指示的目的或描述的任何这样的机制。然而， 组件、电路、模块，或任何这样的机制不一定对设备构成特定限制。

说明书中对“一个实施例”、“一些实施例”、“其他实施例”等等 的引用意味着结合实施例所描述的特定特征、结构或特征被包括在所要求 保护的主题的至少一些实施例中，但不一定包括在所有实施例中。“实施 例”、“一个实施例”，或“一些实施例”的出现不一定都是指相同实施 例。

如果说明书陈述组件、特征、结构，或特征“可能”、“可以”被包 括，则该特定组件、特征、结构，或特征不一定必须被包括。如果说明书 或权利要求书引用“一个”元素，则并不意味着只有一个元素。如果说明 书或权利要求书引用“额外的”元素，则不排除有一个以上的额外的元素。 如此处所使用的，术语“耦合”包括直接和间接连接。此外，在第一和第 二设备耦合的情况下，包括有源设备的中间设备可以定位在它们之间。

了解本发明的优点的所属领域的技术人员将理解，在所要求保护的主 题的范围内，可以作出前述的描述和附图的许多其他变体。实际上，所要 求保护的主题不仅限于上文所描述的细节，显而易见的是，在不偏离所要 求保护的主题的范围和/或意图的情况下，或在不牺牲所有其优点的情况下， 可以对组件的形式、结构和/或布局作出各种更改，前面所描述的本文中的 形式只是其说明性的实施例，和/或进一步说明而不会提供本质的更改。包 含和/或包括这样的更改是权利要求的意图。