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含有氧化钼的薄膜的制造方法、含有氧化钼的薄膜的形成用原料以及钼酰胺化合物

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本发明涉及一种含有氧化钼的薄膜的制造方法，其中，使含有下述通式（I）表示的化合物的薄膜形成用原料气化，将得到的含有钼酰胺化合物的蒸汽导入至基体上，进而导入氧化性气体，从而使其发生分解和/或化学反应而在基体上形成薄膜。式中，R

著录项

公开/公告号CN103562434A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-02-05

原文格式PDF
申请/专利权人株式会社艾迪科;
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申请/专利号CN201280020076.X
发明设计人佐藤宏树;上山润二;
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申请日2012-05-11
分类号C23C16/40;C07C211/03;H01L21/28;H01L21/285;C07F11/00;
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人张楠
地址日本东京都
入库时间 2024-02-19 22:53:23

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-08-03

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C16/40 申请公布日:20140205 申请日:20120511

发明专利申请公布后的驳回
2014-03-19

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/40 申请日:20120511

实质审查的生效
2014-02-05

公开

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外文文献

1. 含有氧化钼的薄膜的制造方法、含有氧化钼的薄膜的形成用原料以及钼酰胺化合物 [P] . 中国专利： CN103562434A . 2014-02-05
2. 含有钼的薄膜的制造方法、薄膜形成用原料及钼酰亚胺化合物 [P] . 中国专利： CN104603327A . 2015-05-06
3. Method for producing thin film containing molybdenum oxide, and raw material for forming thin film containing molybdenum oxide [P] . 日本专利： JP5730670B2 . 2015-06-10

机译：含有氧化钼的薄膜的制造方法以及含有氧化钼的薄膜的形成原料
4. METHOD FOR MANUFACTURING MOLYBDENUM OXIDE-CONTAINING THIN FILM STARTING MATERIAL FOR FORMING MOLYBDENUM OXIDE-CONTAINING THIN FILM AND MOLYBDENUM AMIDE COMPOUND [P] . 韩国专利： KR101912127B1 . 2018-10-26

机译：制造含氧化钼的薄膜起始材料的方法，用于形成含氧化钼的薄膜和酰胺钼的化合物
5. METHOD FOR MANUFACTURING MOLYBDENUM OXIDE-CONTAINING THIN FILM, STARTING MATERIAL FOR FORMING MOLYBDENUM OXIDE-CONTAINING THIN FILM, AND MOLYBDENUM AMIDE COMPOUND [P] . 韩国专利： KR20140025408A . 2014-03-04

机译：制造含氧化钼的薄膜的方法，用于形成含氧化钼的薄膜的起始材料和酰胺钼化合物

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