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用于防范UTBB上的与接触有关的短接的方法

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经过在衬底上的掩埋氧化物上面的有源硅层向衬底中并且经过有源硅层上的任何焊盘电介质蚀刻隔离沟槽。有源硅层的横向外延向隔离沟槽中形成突出物至至少约5纳米的横向距离，并且用电介质填充隔离沟槽的在突出物周围的部分。在有源硅层的包括电介质的部分上形成凸起源极／漏极区域。作为结果，在凸起源极／漏极区域的周围穿过的未对准接触在隔离沟槽中保持从衬底的侧壁间隔开。

著录项

公开/公告号CN103715064A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-04-09

原文格式PDF
申请/专利权人意法半导体公司;国际商业机器公司;
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申请/专利号CN201310376748.7
发明设计人 N·劳贝特;柳青;S·波诺斯;
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申请日2013-08-21
分类号H01L21/02;H01L21/20;H01L29/06;
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址美国得克萨斯州
入库时间 2024-02-19 23:02:09

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-05-10

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20140409 申请日:20130821

发明专利申请公布后的视为撤回
2014-05-07

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20130821

实质审查的生效
2014-04-09

公开

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外文文献

1. 用于防范UTBB上的与接触有关的短接的方法 [P] . 中国专利： CN103715064A . 2014-04-09
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3. Method to protect against contact related shorts on UTBB [P] . 美国专利： US9633893B2 . 2017-04-25

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机译：用于测试多相催化剂的短接触时间反应的装置和方法