• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中国专利> 一种采用激光辐照氮化镓外延片改善氮化镓电学光学性质的方法

一种采用激光辐照氮化镓外延片改善氮化镓电学光学性质的方法

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 法律信息
  • 相似文献

摘要

一种采用激光辐照氮化镓外延片以改善其电学光学性能的方法，属于材料制备领域。本发明先将GaN外延片进行预处理，去除表面的污染附着物及有机残留等，改善表面晶格缺陷，采用248nm准分子激光器对GaN外延片进行辐照，单脉冲能量密度0.15J/cm

著录项

  • 公开/公告号CN103956319A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-07-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN201410137383.7

  • 发明设计人 蒋毅坚;谈浩琪;赵艳;

    申请日2014-04-07

  • 分类号H01L21/268;

  • 代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘萍

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2023-12-17 00:35:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-07-14

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/268 申请公布日:20140730 申请日:20140407

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2014-08-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/268 申请日:20140407

    实质审查的生效

  • 2014-07-30

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号