首页> 中国专利> 超浅结的形成方法及半导体器件的形成方法

超浅结的形成方法及半导体器件的形成方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明提供一种超浅结的形成方法及半导体器件的形成方法，所述超浅结的形成方法，包括：提供一硅衬底，所述硅衬底上形成有栅极结构；在-60℃～-100℃温度下，以栅极结构为掩膜，向所述硅衬底进行第一离子注入，形成非晶化区；向非晶化区进行第二离子注入，形成超浅结。本发明在-60℃～-100℃温度下，抑制了硅衬底的自退火效应，有效的形成非晶化区，抑制了行程末端损伤的生成。又因为第一离子为碳或氟离子，抑制了第二离子的瞬时增强扩散，碳或氟所捕获行程末端损伤及间隙空位的效能依然能够作用于超浅结，这就使得一步低温碳注入可以替代传统的锗和碳的两步注入，缩短了生产工艺流程，节约资源。

著录项

公开/公告号CN103972102A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-08-06

原文格式PDF
申请/专利权人上海华力微电子有限公司;
展开▼

申请/专利号CN201410163448.5
发明设计人邱裕明;
展开▼

申请日2014-04-22
分类号H01L21/336(20060101);H01L21/265(20060101);
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王宏婧
地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
入库时间 2023-12-17 01:05:13

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-07-28

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/336 申请公布日:20140806 申请日:20140422

发明专利申请公布后的驳回
2014-09-03

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20140422

实质审查的生效
2014-08-06

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 超浅结的形成方法及半导体器件的形成方法 [P] . 中国专利： CN103972102A . 2014-08-06
2. 浅沟槽隔离结构的形成方法及半导体器件的形成方法 [P] . 中国专利： CN110223952A . 2019-09-10
3. METHOD OF FORMING ULTRA-SHALLOW JUNCTIONS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES [P] . 美国专利： US2010112795A1 . 2010-05-06

机译：半导体器件的超浅结的形成方法
4. METHOD OF FORMING ULTRA-SHALLOW JUNCTIONS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES [P] . SG156062A1 . 2009-11-26

机译：半导体器件的超浅结的形成方法
5. METHOD OF FORMING ULTRA-SHALLOW JUNCTIONS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES [P] . 韩国专利： KR20090127366A . 2009-12-10

机译：半导体器件的超浅结的形成方法