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用于减少与半导体淀积系统相关的反应室中的非所需淀积物的工艺和系统

摘要

用于减少与半导体淀积系统相关的反应室内的非所需淀积物的工艺和系统。可以使清洁气体流过延伸穿过至少一个气体炉的至少一个气流路径,而且可以将已加热的清洁气体引入到反应室以从反应室内移除至少一部分非所需淀积物。

著录项

  • 公开/公告号CN104011259A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-08-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SOITEC公司;

    申请/专利号CN201280064081.0

  • 发明设计人 R·T·小贝尔特拉姆;

    申请日2012-11-12

  • 分类号C23C16/30;C23C16/44;C30B25/02;C30B25/08;C30B29/40;

  • 代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 法国贝尔尼

  • 入库时间 2023-12-17 01:19:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-02-01

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/30 申请公布日:20140827 申请日:20121112

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-12-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/30 申请日:20121112

    实质审查的生效

  • 2014-08-27

    公开

    公开

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