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绝缘衬底上薄膜硅材料杨氏模量测试结构及方法

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本发明提供了一种测量绝缘衬底上薄膜硅材料杨氏模量测试结构及方法。该测试结构由两组结构构成，其中第一组结构由一个多晶硅悬臂梁(101)、一个薄膜硅悬臂梁(103)和一个由薄膜硅制作的垫板(102)组成；第二组结构由一个多晶硅悬臂梁和一个薄膜硅制作的垫板组成。实际测量薄膜硅杨氏模量的单元是薄膜硅悬臂梁，而这两组结构的差别仅在于是否包括薄膜硅悬臂梁，两组结构中其他对应单元结构和几何尺寸完全相同。施加静电力使多晶硅悬臂梁下弯并进而下压薄膜硅悬臂梁和垫板接触衬底。通过两组测试结构的测试提取出单独驱动薄膜硅悬臂梁弯曲到测试挠度所需要的力，由力、测试挠度和几何尺寸可以计算得到绝缘衬底上薄膜硅材料的杨氏模量。

著录项

公开/公告号CN104034603A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-09-10

原文格式PDF
申请/专利权人东南大学;
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申请/专利号CN201410242784.9
发明设计人李伟华;王雷;张璐;周再发;
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申请日2014-06-03
分类号G01N3/20;
代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙);
代理人柏尚春
地址 210096 江苏省南京市四牌楼2号
入库时间 2023-12-17 01:24:36

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-22

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N3/20 授权公告日:20160413 终止日期:20190603 申请日:20140603

专利权的终止
2016-04-13

授权

授权
2014-10-15

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N3/20 申请日:20140603

实质审查的生效
2014-09-10

公开

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