法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-22
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01N3/20 授权公告日:20160413 终止日期:20190603 申请日:20140603
专利权的终止
2016-04-13
授权
授权
2014-10-15
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N3/20 申请日:20140603
实质审查的生效
2014-09-10
公开
公开
机译: 微观结构特征微处理器的制造方法,包括在衬底的背面上形成保护层,例如在衬底上。绝缘体上硅衬底,使用碳化硅材料
机译: 绝缘体上的SiGe(SGOI)衬底,绝缘体上的Ge(GOI)衬底的制造方法,半导体晶片和半导体结构
机译: 绝缘体上硅衬底的制造方法例如用于形成绝缘体。光学部件,包括在施主衬底上形成非晶层并在使施主衬底层转移到支撑衬底上之前重结晶非晶层