• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 中国专利> 一种控制掺杂源流量N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法

一种控制掺杂源流量N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法

页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 法律信息
  • 相似文献

摘要

本发明涉及一种控制掺杂源流量N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中，将反应室抽成真空；(2)向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，再将H2流量逐渐增至60L/min，继续向反应室通气；(3)打开高频线圈感应加热器RF，逐渐增大该加热器的功率，当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀；(4)当反应室温度到达到1580℃-1600℃时，保持温度和压强恒定，向反应室通入C3H8和SiH4；将高纯N2用作N型掺杂源通入反应室中；当第一层N型掺杂层生长结束后，停止向反应室通入SiH4、C3H8和高纯N2并保持1min，其间调整高纯N2流量；之后继续向反应室通入SiH4、C3H8和高纯N2生长第二层N型掺杂层。

著录项

  • 公开/公告号CN104131335A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-11-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN201410349940.1

  • 发明设计人 王悦湖;胡继超;宋庆文;张艺蒙;张玉明;

    申请日2014-07-22

  • 分类号C30B25/16(20060101);C30B29/36(20060101);C23C16/455(20060101);C23C16/52(20060101);C23C16/34(20060101);

  • 代理机构11385 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司;

  • 代理人董芙蓉

  • 地址 710071 陕西省西安市太白南路2号

  • 入库时间 2023-12-17 01:34:31

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-08

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B25/16 申请公布日:20141105 申请日:20140722

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2014-12-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B25/16 申请日:20140722

    实质审查的生效

  • 2014-11-05

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号