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一种恒磁导率、高饱和磁感应强度、磁导率变化率在1以内的纳米晶软磁合金及其制备方法

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摘要

本发明涉及一种恒磁导率、高饱和磁感应强度、磁导率变化率在1％以内的纳米晶软磁合金，其组成成份及原子个数如下：铁67-80份；硅10-14份；硼7-11份；铌2-4份；铜0.5-1.5份；镍0.5-2份。本发明合金的磁导率恒定为20000，磁导率变化率在1％以内，饱和磁感应强度为1.3T，因磁导率是恒定的，大大地扩大了纳米晶软磁材料的应用范围，给人们的使用带来了极大的便利，可以应用在精密电流互感器上很好地解决了因磁导率线性度不好而引起的角差问题，同时还具较好的抗直流效果。

著录项

公开/公告号CN104200945A

专利类型发明专利
公开/公告日2014-12-10

原文格式PDF
申请/专利权人天津奥纳科技有限公司;
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申请/专利号CN201410376525.5
发明设计人安海路;
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申请日2014-07-30
分类号H01F1/147(20060101);C22C38/16(20060101);C22C33/04(20060101);B82Y40/00(20110101);
代理机构12209 天津盛理知识产权代理有限公司;
代理人赵熠
地址 301914 天津市蓟县天津专用汽车产业园蓟运河大街北街
入库时间 2023-12-17 03:31:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-07-21

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01F1/147 申请公布日:20141210 申请日:20140730

发明专利申请公布后的驳回
2015-01-07

实质审查的生效 IPC(主分类):H01F1/147 申请日:20140730

实质审查的生效
2014-12-10

公开

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