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符合ISO和ESD要求的片上反向极性保护

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摘要

本发明涉及符合ISO和ESD要求的片上反向极性保护。公开了一种半导体器件。在一个实施例中，半导体器件包括：半导体芯片，包括衬底；地端子，被配置为被提供有参考电位；以及供电端子，电耦合到衬底，供电端子被配置为被提供有负载电流并且被配置为在衬底和地端子之间被提供有供电电压。半导体器件还包括过压保护电路，该过压保护电路设置在半导体芯片中并且耦合在供电端子和地端子之间，过压保护电路包括：第一晶体管，具有耦合在供电端子和内部地节点之间的负载电流路径；以及第二晶体管，具有耦合在内部地节点和地端子之间的负载电流路径。

著录项

公开/公告号CN104518769A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-04-15

原文格式PDF
申请/专利权人英飞凌科技股份有限公司;
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申请/专利号CN201410514545.4
发明设计人 L.佩特鲁齐;
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申请日2014-09-30
分类号H03K17/687;H01L27/02;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人申屠伟进
地址德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
入库时间 2023-12-17 04:14:53

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-02-23

授权

授权
2015-05-13

实质审查的生效 IPC(主分类):H03K17/687 申请日:20140930

实质审查的生效
2015-04-15

公开

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机译：符合ISO和ESD要求的片上反极性保护
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机译：片上反极性保护符合ISO和ESD要求
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