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一种具有对称结构的高灵敏度垂直型磁场传感器

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本发明揭示了一种具有对称结构的高灵敏度垂直型磁场传感器，该磁场传感器包括垂直对称设置的第一垂直型磁场传感器和第二垂直型磁场传感器，第一垂直型磁场传感器和第二垂直型磁场传感器共用第三N+区。该磁场传感器包括硅衬底、绝缘体层、第一P‑区、第二P‑区、第三P‑区、第四P‑区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第四N+区、第五N+区、栅介质层和栅极。该对称结构的垂直型磁场传感器的生产工艺简单，结构完全对称，器件初始失调低，并且可以采用旋转电流技术消除器件的失调，残余失调低。该垂直型磁场传感器的磁场灵敏度高，并且可以组成二维磁场传感器，实现对平行于器件平面的二维磁场进行检测。

著录项

公开/公告号CN110736942A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-31

原文格式PDF
申请/专利权人南京邮电大学;
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申请/专利号CN201910966994.5
发明设计人徐跃;宋福明;袁丰;
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申请日2019-10-12
分类号
代理机构南京苏科专利代理有限责任公司;
代理人范丹丹
地址 210046 江苏省南京市栖霞区文苑路9号
入库时间 2023-12-17 05:22:44

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-02-25

实质审查的生效 IPC(主分类):G01R33/02 申请日:20191012

实质审查的生效
2020-01-31

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1. 一种具有对称结构的高灵敏度垂直型磁场传感器 [P] . 中国专利： CN110736942B . 2021.09.10
2. 一种具有对称结构的高灵敏度垂直型磁场传感器 [P] . 中国专利： CN110736942A . 2020-01-31
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