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单晶硅的制造方法、外延硅晶片的制造方法、单晶硅及外延硅晶片

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摘要

一种单晶硅的制造方法中，以使单晶硅的电阻率成为0.5mΩ·cm以上且小于0.7mΩ·cm的方式在硅熔液中添加红磷，且以使单晶硅的直体部的至少一部分的温度在570℃±70℃的范围内的时间成为10分钟以上且50分钟以下的方式提拉单晶硅。

公开/公告号CN110730831A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-24

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申请/专利权人胜高股份有限公司;
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申请/专利号CN201880026803.0
发明设计人鸣嶋康人;前川浩一;小川福生;川上泰史;
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申请日2018-04-12
分类号C30B29/06(20060101);H01L21/20(20060101);H01L21/205(20060101);H01L21/324(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人杨戬
地址日本东京都
入库时间 2023-12-17 05:22:44

1. 单晶硅的制造方法、外延硅晶片的制造方法、单晶硅及外延硅晶片 [P] . 中国专利： CN110730831A . 2020-01-24
2. n型单晶硅的制造方法、n型单晶硅锭、硅晶片及外延硅晶片 [P] . 中国专利： CN110730832A . 2020-01-24
3. Method for producing silicon single crystal, Method for producing epitaxial silicon wafer, Silicon single crystal and epitaxial silicon wafer [P] . 韩国专利： KR20190124801A . 2019-11-05

机译：单晶硅的制造方法，外延硅晶片的制造方法，单晶硅及外延硅晶片
4. METHOD FOR MANUFACTURING SIC SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE FOR EPITAXIAL SIC WAFER, AND SIC SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE FOR EPITAXIAL SIC WAFER [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3007209A4 . 2017-01-18

机译：用于制造外延硅晶片的单晶硅衬底的方法以及用于外延硅晶片的单晶硅衬底的制造方法
5. METHOD FOR MANUFACTURING SIC SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE FOR EPITAXIAL SIC WAFER, AND SIC SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE FOR EPITAXIAL SIC WAFER [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3007209A1 . 2016-04-13

机译：用于制造外延硅晶片的单晶硅衬底的方法以及用于外延硅晶片的单晶硅衬底的制造方法