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一种面向多维封装结构芯片可靠性评估方法

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本发明公开了一种面向多维封装结构芯片可靠性评估方法，包括以下步骤：步骤1，选定晶圆上用于可靠性测试的芯片样本数量；步骤2，对选定的芯片样本进行外部损伤检查；步骤3，将通过外部损伤检查后的芯片样本进行预处理实验；步骤4，将预处理实验后的芯片样本分为3组，分别进行温度循环实验、无偏压高加速温湿度应力实验以及压力蒸煮实验；步骤5，对完成步骤4试验后的3组芯片通过失效统计和微观组织结构表征，确定芯片样本的缺陷和寿命预计值。本发明的可靠性评估方法，能够确定不同工作条件对芯片的组织结构变化和内部缺陷形成的影响，确定芯片的可靠性及失效形式，准确评估产品寿命预计值，有助于尽快改进芯片设计和生产中的缺陷。

著录项

公开/公告号CN110736908A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-01-31

原文格式PDF
申请/专利权人北京建筑大学;中铭富驰(苏州)纳米高新材料有限公司;
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申请/专利号CN201910871610.1
发明设计人陈新华;苏梅英;贝国平;董子钰;董金勇;
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申请日2019-09-16
分类号
代理机构苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人冯瑞
地址 100044 北京市西城区展览馆路1号
入库时间 2023-12-17 05:26:56

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-02-25

实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/26 申请日:20190916

实质审查的生效
2020-01-31

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