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基于半导体晶片的局部畸变的确定的全局晶片畸变的改善

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本文公开了一种基于半导体晶片的局部畸变的确定的全局晶片畸变的改善。在本文中，畸变为平面外畸变(OPD)或平面内畸变(IPD)。对于这种畸变的参考平面基于假定平坦的半导体晶片的表面共享的平面。提交本摘要时应理解，其将不用于解释或限定权利要求的范围或含义。

著录项

公开/公告号CN110807273A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-18

原文格式PDF
申请/专利权人东京毅力科创株式会社;
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申请/专利号CN201910711753.6
发明设计人乔舒亚·霍格;内森·伊普;乔尔·埃斯特雷拉;安东·德维利耶;
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申请日2019-08-02
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人刘雯鑫
地址日本东京都
入库时间 2023-12-17 05:31:07

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2020-02-18

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