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一种碲镉汞小线宽腐蚀方法及碲镉汞红外探测器

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摘要

本发明提出了一种碲镉汞小线宽腐蚀方法及碲镉汞红外探测器，用以提高小线宽精细结构腐蚀均匀性。碲镉汞小线宽腐蚀方法，包括：将带有光刻胶的碲镉汞芯片曝光后，放入显影池中浸泡在显影液中进行显影；向显影池中注入去离子水，直至将显影池中的显影液全部替换为去离子水；保持碲镉汞芯片浸泡在去离子水中的状态，用第一培养皿将碲镉汞芯片从显影池中取出；保持碲镉汞芯片浸泡在去离子水中的状态，将第一培养皿和碲镉汞芯片一起放入第二培养皿中进行腐蚀；保持碲镉汞芯片浸泡在腐蚀液中的状态，将第一培养皿连同碲镉汞芯片一起从第二培养皿中取出；保持碲镉汞芯片浸泡在腐蚀液中的状态，将第一培养皿连同碲镉汞芯片一起放入水槽中进行清洗。

著录项

  • 公开/公告号CN110783427A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-02-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十一研究所;

    申请/专利号CN201910986653.4

  • 发明设计人 张轶;刘世光;孙浩;刘震宇;

    申请日2019-10-17

  • 分类号H01L31/18(20060101);H01L31/103(20060101);G03F7/32(20060101);

  • 代理机构11010 工业和信息化部电子专利中心;

  • 代理人吴淑艳

  • 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号

  • 入库时间 2023-12-17 07:00:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-03-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20191017

    实质审查的生效

  • 2020-02-11

    公开

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