首页> 中国专利> 一种硅基碲镉汞芯片制备方法和碲镉汞红外探测器

一种硅基碲镉汞芯片制备方法和碲镉汞红外探测器

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

本发明提出了一种硅基碲镉汞红外探测器芯片制备方法，用以改善大面阵芯片的表面翘曲，提高互连成品率。硅基碲镉汞芯片制备方法，包括：针对完成了在碲镉汞膜层表面制备光敏区及金属化操作之后的材料，进行面型测试确定待制备芯片弯曲的第一曲率半径；根据确定出的第一曲率半径，确定待制备的目标膜层的第一应力；根据待制备的目标膜层的第一应力，确定制备所述目标膜层的第一工艺参数和/或第一厚度；根据确定出的第一工艺参数和第一厚度，在所述材料上生长所述目标膜层。

著录项

公开/公告号CN110634991B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-02

原文格式PDF
申请/专利权人中国电子科技集团公司第十一研究所;
展开▼

申请/专利号CN201910821669.X
发明设计人祁娇娇;张敏;韦书领;周立庆;王成刚;孙浩;宁提;
展开▼

申请日2019-09-02
分类号H01L31/18(20060101);H01L31/0216(20140101);H01L31/101(20060101);H01L21/66(20060101);
代理机构11010 工业和信息化部电子专利中心;
代理人张然
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号
入库时间 2022-08-23 12:03:49

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种硅基碲镉汞芯片制备方法和碲镉汞红外探测器 [P] . 中国专利： CN110634991B . 2021.07.02
2. 离子注入方法、碲镉汞芯片的制备方法及碲镉汞芯片 [P] . 中国专利： CN112086363B . 2021.04.13
3. Mercury containment for liquid phase growth of mercury cadmium telluride from tellurium-rich solution [P] . 美国专利： US4366771A . 1983-01-04

机译：富碲溶液中用于碲化汞镉镉液相生长的含汞量
4. Mercury containment for liquid phase growth of mercury cadmium telluride from tellurium-rich solution [P] . 美国专利： US4317689A . 1982-03-02

机译：富碲溶液中用于碲化汞镉镉液相生长的含汞量
5. Defektreduksjon for interdiffunderte kvikks°lv-kadmium-tellurid-baserte infrar°d-detektormaterialer [P] . NO982962A . 1998-12-28

机译：互扩散的基于汞-镉-碲化物的红外探测器材料的缺陷减少