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在用于路由的第一金属层中采用金属线的互补金氧半导体(MOS)(CMOS)标准单元电路及其相关方法

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本发明公开在用于路由的第一金属层中采用金属线的互补金氧半导体MOS CMOS标准单元电路及其相关方法。在一个方面中，一种CMOS标准单元电路包含安置于所述第一金属层中的第一供应轨、第二供应轨及金属线。所述金属线中的一或多者被对应于所述CMOS标准单元的第一单元边界及第二单元边界动态地切割，使得所述金属线具有对应于所述第一单元边界及所述第二单元边界的切割边缘。未对应于所述第一单元边界及所述第二单元边界被切割的金属线可用于互连所述CMOS标准单元电路的节点。动态地切割所述金属线允许所述第一金属层被用于路由，以减小其它金属层中的路由，使得较少通孔及金属线被安置于所述第一金属层上方。

著录项

公开/公告号CN110785848A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-11

原文格式PDF
申请/专利权人高通股份有限公司;
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申请/专利号CN201880024119.9
发明设计人 A·小科雷亚莱;W·古多尔三世;P·M·伊莱什;
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申请日2018-04-02
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人杨林勳
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 07:13:07

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-03-06

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/118 申请日:20180402

实质审查的生效
2020-02-11

公开

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