公开/公告号CN110823945A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-02-21
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院光电技术研究所;
申请/专利号CN201911113246.9
申请日2019-11-14
分类号
代理机构
代理人
地址 610209 四川省成都市双流350信箱
入库时间 2023-12-17 07:21:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-03-17
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N25/16 申请日:20191114
实质审查的生效
2020-02-21
公开
公开
机译: 椭偏仪和椭偏仪,形式测量方法以及半导体装置的制造
机译: 椭偏和椭偏仪,形状测量方法和半导体装置的制造
机译: 使用具有双截面的薄膜试样的弹性模量测量方法,具有双截面的薄膜试样的热膨胀系数测量方法,弹性系数和系数的连续性,热系数的连续性通过使用具有另一种宽度的一个薄膜样本进行一项实验,使薄膜样本的弹性系数和热膨胀系数