公开/公告号CN111048501A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-04-21
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第四十四研究所;
申请/专利号CN201911360439.4
申请日2019-12-25
分类号H01L25/16(20060101);H01L31/0232(20140101);H01L31/18(20060101);H01L33/60(20100101);G02B6/42(20060101);
代理机构50215 重庆辉腾律师事务所;
代理人王海军
地址 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号
入库时间 2023-12-17 08:00:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L25/16 申请日:20191225
实质审查的生效
2020-04-21
公开
公开
机译: 具有高器件线性度的伪形高电子迁移率场效应晶体管
机译: 具有高器件线性度的伪形高电子迁移率场效应晶体管
机译: 一种具有弱场效应板的半导体器件的制造方法,该器件为具有高电子迁移率的晶体管半导体组件(半边)和半导体器件