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用于临界尺寸测量的检验导引临界位点选择

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摘要

本发明揭示用于确定临界尺寸CD测量或检验的位置的系统及方法。可执行基于临界尺寸变化的潜在影响实时选择进行临界尺寸测量的位置。还可使用半导体装置的设计以预测可受临界尺寸变化影响的位置。基于可包含排名或临界性的有序位置列表，可在选定位置处测量临界尺寸。结果可用于细化临界尺寸位置预测模型。

1. 用于临界尺寸测量的检验导引临界位点选择 [P] . 中国专利： CN111052326A . 2020-04-21
2. 用于半导体衬底的临界尺寸测量的基于深度学习的自适应关注区域 [P] . 中国专利： CN112823412A . 2021-05-18
3. METHOD FOR FORMING A CONTACT HOLE TO MEASURE A CRITICAL DEMENSION OF THE CONTACT HOLE IN SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MEASURING THE CRITICAL DEMENSION OF THE CONTACT HOLE USING THE SAME [P] . 韩国专利： KR20060062522A . 2006-06-12

机译：形成用于测量半导体装置中的接触孔的临界尺寸的接触孔的方法以及使用相同的方法测量接触孔的临界尺寸的方法
4. 3 Method of measuring critical dimension of 3D feature and apparatus for the same [P] . KR20210117550A . 2021-09-29

机译： 3用于测量3D特征的临界尺寸和装置的临界尺寸方法
5. INSPECTION-GUIDED CRITICAL SITE SELECTION FOR CRITICAL DIMENSION MEASUREMENT [P] . SG11202000611YA . 2020-02-27

机译：临界尺寸测量的检查指导临界位置选择