法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-02
实质审查的生效 IPC(主分类):C01B19/00 申请日:20191227
实质审查的生效
2020-05-08
公开
公开
机译: 半导体器件的零气隙具有半导体器件的生产方式,该半导体器件具有伴随气隙的达马金结构和伴随气隙的达马金结构
机译: 使用零间隙切割系统,零间隙切割系统中的双辅助切碎机以及其他零间隙系统来销毁非均匀负载
机译: 在具有与具有带隙和零带隙的规范石墨烯相匹配的迁移率的SiC上,外延生长的石墨烯已经完成