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具有厚度沿晶体管宽度变化的半导体层的高电子迁移率晶体管

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一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括半导体结构，该半导体结构包括形成异质结的覆盖层(101)和沟道层(102)，使得在覆盖层和沟道层的界面处形成二维电子气。HEMT还包括一组电极，该组电极包括沉积在覆盖层上的源极(110)、漏极(120)和栅极(130)。栅极沿着HEMT的长度布置在源极和漏极之间。覆盖层的至少在栅极下方的厚度沿着HEMT的宽度变化。

著录项

公开/公告号CN111213244A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-29

原文格式PDF
申请/专利权人三菱电机株式会社;
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申请/专利号CN201880053612.3
发明设计人张坤好;N·乔杜里;
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申请日2018-04-02
分类号
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人刘久亮
地址日本东京都
入库时间 2023-12-17 09:16:50

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20180402

实质审查的生效
2020-05-29

公开

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