法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-14
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/50 申请日:20200311
实质审查的生效
2020-06-19
公开
公开
机译: 一种具有高介电常数栅氧化膜形成方法,边界层还原法,高介电常数栅绝缘膜,高介电常数栅绝缘膜和高k栅氧化膜的晶体管,
机译: 高孔径的光学成像系统技术领域本发明涉及一种高孔径的光学成像系统,特别是用于显微镜的光学成像系统。
机译: 高孔径光学成像系统技术领域本发明涉及一种高孔径光学成像系统,特别是用于在宽波长范围内具有复消色差校正的显微镜