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一种提高3D CT TLC NAND闪存存储设备可靠性的方法

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本发明公开了一种提高3D CT TLC NAND闪存存储设备可靠性的方法,是基于3D CT TLC NAND闪存存储结构的字线寿命在空间上分布的层间集中特性以及各闪存页寿命间显著的差异提出的。当闪存块中出现失效页时，区别于传统坏块管理算法将整块置坏的管理方法，本发明仅将闪存块中该失效页所在层内的闪存页标记为坏页，块中其他层的闪存页仍可继续使用，提高了存储设备存储空间的利用率及存储设备的寿命。与传统坏块管理算法相比，本发明可以有效地避免存储空间利用率低的情况，并能够显著提高3D CT TLC NAND闪存存储设备的寿命。

著录项

公开/公告号CN111258507A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-09

原文格式PDF
申请/专利权人上海威固信息技术股份有限公司;
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申请/专利号CN202010086332.1
发明设计人吴佳;李礼;陈佳;苗诗君;余云;杨冀;叶韬;刘碧贞;
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申请日2020-02-11
分类号G06F3/06(20060101);
代理机构31301 上海海贝律师事务所;
代理人王文锋
地址 201702 上海市青浦区高泾路599号1幢2层208室
入库时间 2023-12-17 09:33:57

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-03

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F3/06 申请日:20200211

实质审查的生效
2020-06-09

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