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公开/公告号CN111384667A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-07
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201911154493.3
发明设计人 J·K·多因轮德;P·杜西耶;
申请日2019-11-22
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人张伟
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2023-12-17 10:08:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-07
公开
机译: 具有阶梯式渐变折射率分离限制异质结构的激光装置
机译: 具有使用渐变折射率光纤的固态激光设备的光发射机-具有光纤入射系统,其参数根据与直径和折射率有关的方程式定义
机译: 具有阶梯式梯度独立约束异质结构的激光设备
机译:基于AlGaN p-n结的UV发射器,其形式为渐变折射率分离的限制异质结构
机译:抛物面光孔效应对InGaAs-AlGaAs应变层激光器的植入平面埋入异质结构渐变折射率分离约束异质结构的影响
机译:通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)完全生长的1.3μm GaInAsP / InP掩埋异质结构渐变折射率分离禁区多量子阱(BH-GRIN-SC-MQW)激光器
机译:具有小的垂直发散和对温度不敏感的特性的830nm渐变折射率双势垒分离限制异质结构激光二极管
机译:渐变折射率分离限制异质结构(GRINSCH)形式的氮化铝镓基发射极的开发
机译:桃潜在镶嵌类病毒的三个表型不同分离株的基因组结构:限制类拟似物异质性的限制因素的存在的含义。
机译:MeV氧离子注入制备的高效单量子阱渐变折射率分离约束异质结构激光器
机译:低阈值电流注入 - 平面 - 埋层 - 异质结构,渐变折射率,分离 - 限制 - 异质结构Gaas-alGaas激光器。