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热预算自动控制方法及其自动控制系统

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本发明公开了一种热预算自动控制方法包括设定侧墙厚度目标值、合格区间及热预算容忍区间；计算侧墙厚度平均值及不同侧墙环状区域内侧墙厚度值与侧墙厚度目标值的偏差；判断侧墙厚度平均值与侧墙厚度目标值的第一偏差是否在侧墙厚度合格区间内，若不在侧墙厚度合格区间内则报废该片硅片；判断侧墙环状区域内侧墙厚度值与侧墙厚度目标值的第二偏差是否在热预算容忍区间内；若第二偏差在热预算容忍区间内保持热预算温度；若第二偏差为负减少热预算温度；若第二偏差为正增加热预算温度；根据调整后的各侧墙环状区域热预算温度执行快速热退火。本发明还公开了一种热预算自动控制系统。本发明能实现硅片器件性能的均匀性，进而能大规模地提高产品良率。

著录项

公开/公告号CN111403308A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-10

原文格式PDF
申请/专利权人上海华力集成电路制造有限公司;
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申请/专利号CN202010233890.6
发明设计人李中华;冷江华;田明;
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申请日2020-03-30
分类号
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人焦天雷
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
入库时间 2023-12-17 10:41:53

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-04

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20200330

实质审查的生效
2020-07-10

公开

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