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用于高性能磁性随机存取存储器装置的自由层氧化与间隔物辅助磁性穿隧结蚀刻

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公开一种磁性穿隧结，其避免电性短路且改良资料保存。最顶盖层具有第一侧壁，其与多个氧化外部及自由层铁磁性中心部之间的结共平面，上述自由层具有自由层宽度。介电间隔物形成在第一侧壁及该些自由层氧化外部上。固定层具有实质上大于自由层宽度的一宽度，且在其上的第二侧壁是通过使用介电间隔物及盖层作为蚀刻掩模的自对准蚀刻而形成。侧壁层可形成在第二侧壁及介电间隔物上，但是不会降低MTJ性质，因为侧壁层不接触负责装置性能的自由层中心部及固定层中心部。固定层宽度＞自由层宽度，确保资料保存的更大容量，尤其当自由层宽度＜60纳米。

著录项

公开/公告号CN111566831A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-21

原文格式PDF
申请/专利权人台湾积体电路制造股份有限公司;
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申请/专利号CN201880065733.X
发明设计人杨毅;沈冬娜;王郁仁;
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申请日2018-10-18
分类号H01L43/08(20060101);H01L43/12(20060101);
代理机构72003 隆天知识产权代理有限公司;
代理人张福根;付文川
地址中国台湾新竹市
入库时间 2023-12-17 11:24:22

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2020-08-21

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1. 用于高性能磁性随机存取存储器装置的自由层氧化与间隔物辅助磁性穿隧结蚀刻 [P] . 中国专利： CN111566831A . 2020-08-21
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5. Free layer sidewall oxidation and spacer assisted magnetic tunnel junction (MTJ) etch for high performance magnetoresistive random access memory (MRAM) devices [P] . 美国专利： US10134981B1 . 2018-11-20

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