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具有用于形成合成反铁磁体的非磁性间隔件层的Heusler化合物

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摘要

描述了包括多层结构的器件，所述多层结构包括三层。第一层为磁性Heusler化合物，第二层(用作间隔件层)在室温下为非磁性的，并且包括Ru和至少一种其它元素E(优选地：Al；或者Ga或Al与Ga、Ge、Sn或它们的组合的合金)的交替层，并且第三层也为磁性Heusler化合物。第二层的成分表示为Ru

公开/公告号CN111554807A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-18

原文格式PDF
申请/专利权人三星电子株式会社;国际商业机器公司;
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申请/专利号CN202010078380.6
发明设计人郑在佑;斯图尔特·S·P·帕金;希拉格·加尔各;马赫什·G·萨曼特;帕纳约蒂斯·哈里劳斯·菲利波;亚里·费兰特;
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申请日2020-02-03
分类号
代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司;
代理人赵南
地址韩国京畿道
入库时间 2023-12-17 11:36:58

1. 具有用于形成合成反铁磁体的非磁性间隔件层的Heusler化合物 [P] . 中国专利： CN111554807A . 2020-08-18
2. 具有间隔体层的半导体装置、其形成方法和间隔体层带 [P] . 中国专利： CN106469657A . 2017-03-01
3. Heusler Compounds with Non-Magnetic Spacer Layer for Formation of Synthetic Anti-Ferromagnets (SAF) [P] . 美国专利： US2020259076A1 . 2020-08-13

机译：具有非磁性间隔层的Heusler化合物用于形成合成反铁磁体（SAF）
4. SAF Device including Heusler Compounds with Non-Magnetic Spacer Layer for Formation of Synthetic Anti-FerromagnetsSAF [P] . 韩国专利： KR20200098390A . 2020-08-20

机译： SAF装置，包括带有非磁性间隔层的Heusler化合物，用于形成合成反铁磁磁铁
5. Heusler compounds with non-magnetic spacer layer for formation of synthetic anti-ferromagnets (SAF) [P] . US10957848B2 . 2021-03-23

机译：具有非磁性间隔层的Heusler化合物，用于形成合成抗铁磁体（SAF）