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一种高深宽比对通型TSV结构及其制备方法和硅转接板

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本申请提供一种高深宽比对通型TSV结构及其制备方法和硅转接板，该制备方法包括：提供硅基底，硅基底包括相对的第一表面和第二表面；在第一表面定义第一填充槽区域，环绕第一填充槽区域刻蚀处理形成第一刻蚀槽;在第一刻蚀槽内填充绝缘材料形成第一绝缘层；对第二表面进行减薄处理；在第二表面上与第一填充槽区域的对应区域进行刻蚀处理形成第二填充槽，在第二填充槽内生长第二绝缘层，并在第二填充槽内填充导电材料；在第一填充槽区域进行刻蚀处理形成第一填充槽，第一填充槽与第二填充槽连通形成贯通减薄后的硅基底的通孔；在第一填充槽内填充导电材料。

著录项

公开/公告号CN111599749A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-28

原文格式PDF
申请/专利权人联合微电子中心有限责任公司;
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申请/专利号CN202010484257.4
发明设计人朱克宝;唐昭焕;吴罚;
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申请日2020-06-01
分类号H01L21/768(20060101);H01L23/538(20060101);
代理机构32393 江苏坤象律师事务所;
代理人赵新民
地址 401332 重庆市沙坪坝区西园一路28号附2号
入库时间 2023-12-17 11:45:16

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2020-08-28

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