公开/公告号CN85101611A
专利类型发明专利
公开/公告日1986-07-30
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院长春应用化学研究所;
申请/专利号CN85101611
申请日1985-04-01
分类号B01D15/08;C01F17/00;B01J20/26;
代理机构中国科学院长春专利事务所;
代理人宋天平
地址 吉林省长春市斯大林大街109号
入库时间 2023-12-17 11:57:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
1988-08-10
审定
审定
1986-07-30
公开
公开
1985-09-10
实质审查请求
实质审查请求
机译: 低钙法浸出法的目的是在氢氧化钠溶液的基础上通过碱浸出法提取高砷含量,随后进行固液分离阶段
机译: 通过在液体中加入结晶改性剂从节水拜耳法液体中回收氢氧化铝晶体的方法,一种改进的从包含铝酸钠水相的拜耳法液体中生产氢氧化铝的方法,该液体通过分离得到不溶于苛性碱的悬浮固体,通过拜耳法生产氢氧化铝的改进的结晶改性剂组合物,拜耳法生产氢氧化铝晶体的方法,减少了同时产物的细粉形成,氢氧化铝颗粒尺寸向上移动氢氧化铝产物和氢氧化铝晶体的总收率没有明显降低的分布”
机译: 用于生产高纯度二氧化硅的集成系统用于在基材上生产纯二氧化硅涂层的方法。用于制备高纯度二氧化硅的方法。用于将高纯度氧气分配到容器中的集成系统氧化硅氧化炉,用于使用高纯氧制备高纯氧化硅